Радиомая́к — передающая радиостанция, излучающая радиосигналы, используемые для определения координат различных объектов (или направления на них), в основном, самолетов и судов либо для

Введение

Радиомая́к — передающая радиостанция, излучающая радиосигналы, используемые для определения координат различных объектов (или направления на них), в основном, самолетов и судов либо для определения местонахождения самого радиомаяка. Параметры сигнала радиомаяка зависят от направления излучения: например, его интенсивность или момент времени пеленгации, в сигналах радиомаяка может содержаться и дополнительная информация.

Один из последних вариантов радиомаяка в телеграфном режиме. Несмотря на простоту он обладает хорошей стабильностью в работе и относительно большой выходной мощностью. Задающий генератор собран на транзисторе VT1. Частота его колебаний – 3,686 МГц, стабилизирована кварцевым резонатором ZQ1. Приобрести такой распространенный резонатор не составляет труда. Широко распространен и кварцевый резонатор с частотой, в два раза меньшей, - 1,843 МГц. Такой приемник не требует предварительной настройки на частоту передатчика, и вся его подготовка к работе сводится к подключению к нему разьема малогабаритного телефона, которым включается и питание пеленгатора.

1 Описание работы схемы – радиомаяк

Усилитель мощности на транзисторах VT3 и VT4 собран по двухтактной схеме с трансформаторным выходом. Начальное смещение на базах этих транзисторов отсутствует. Выходную мощность передатчика можно регулировать переменным резистором R2 в пределах от 1,5 …8 Вт. Вторичная обмотка выходного трансформатора T2 нагружена П-контуром (C10L1C11C12). Прибор РА1 служит индикатором выходного сигнала передатчика. Транзистор VT2 работает в качестве телеграфного ключа. На базу транзистора поступает сигнал с выхода формирователя телеграфной посылки, выполненного на 4 логических элементах микросхемы DD1.

Передатчик переодически излучает пакеты импульсов. Длительность каждого импульса в пакете составляет примерно 0.4 секунды. Длительность пауз между импульсами в пакете такая же. После излучения пакета следует пауза. Длительность пакета определяемую числом “тире”, и длительность паузы между пакетами можно регулировать подбором резисторов R5 и R4 соответственно. Для удобства регулировки эти резисторы можно заменить на подстроечные. При указанных на схеме номиналах длительность пакета состовляет примерно 20 с, а длительность паузы между пакетами – 45 с.

Основная масса деталей передатчика смонтирована на печатной плате размерами 139х106 мм из фольгированного стеклотекстолита толщиной 1,5 мм. Все постоянные резисторы в устройстве – МЛТ, переменный – СП4-2. постоянные конденсаторы – Км и КСО, подстроечный – КПВ-50, оксидные – желательно с малым током утечки, например танталовые. Прибор РА1 – М4206 с током полного отключения 100 мкА.

Транзисторы устройства установлены на теплоотводах. Теплоотвод транзистора VT1 имеет площадь 25 см, VT2 – 15 см, VT3 и VT4 – по 300 cм. Трансформаторы T1 и T2 намотаны на кольцевых магнитопроводах типоразмеров К14х9х5 мм и К23х14х7 мм соответственно из феррита с магнитной проницаемостью 125.

2 Характеристика пассивных и активных элементов- Радиомая́к

Резистор - это элемент РЭА, предназначенный для перераспре-

деления и регулирования электрической энергии между элементами

схемы. Основной особенностью резистора является то, что электри-

ческая энергия превращается в нем в тепловую и рассеивается.

В схеме присутствуют резисторы: R1 10k - постоянный резистор номинальной мощностью рассеивания 0,5 Вт, постоянный без указания мощности R2 100 и R3 1.5k, R4*680k, R5*490k, R6 560k, R7 1k, R8*20k, R9 750 резисторы с номинальной мощностью рассеивания 0.25 Вт,предназначенные для цепей постоянного тока, переменного и импульсного токов аппаратуры нормального и тропического использования, теплостойкие и влагостойкие обладают повышенной механической прочностью и часто используются в РЭА широкого и специального назначения, особенно в малогабаритной т.к. по размерам они совместимы с ИС.

Они более распространены, чем углеродистые и композиционные, имеют электронные параметры лучше, чем углеродистые и композиционные.

Эти резисторы имеют номинальное сопротивление от 8 Ом до 10,2 Ом. Рабочее напряжение до 750В диапазон номинальной мощности рассевания 0,125 - 2Вт, частотный диапазон до 10-ов МГц, среднее значение ТКС равно 10¯³%С.

Таблица 2.1 Параметры постоянных резисторов

Тип	Позиционное обозначение	Номинальная мощность Рассеивания, В	Допустимое отклонение сопротивления %	ТКС* 10¯⁴ 1/°С	Придельное рабочее напряжение, В	Номинальное сопротивление
МЛТ	R2-R4,R6-R7	0.125 – 2Вт	2%,5%,10%,20%	±(7÷12)	До 750В	8,2 Ом-2,2мОм
МЛТ	R1,R5	0,5Вт	10%,20%	± 10	250В	100 Ом-2,2мОм

Конденсаторы: двухплюсник с определённым значением емкости и малой омической проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Конденсатор является пассивным электронным компонентом. Обычно состоит из двух электродов в форме пластин(называемых обкладками), разделённых диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок.

Наличие конденсаторов: C 1200, 160, 0.22mk, 100mk x 16B, 100mk x 16B, 0.15mk, 160, 1mk, 1, 1100, 400 постоянной емкости и 5…50 подстроечный конденсатор предельной емкости

Обозначение по ГОСТ 2.728-74	Описание
	Конденсатор постоянной ёмкости
	Поляризованный (полярный) конденсатор
	Подстроечный конденсатор переменной ёмкости

Основной характеристикой конденсатора является его ёмкость, характеризующая способность конденсатора накапливать электрический заряд. В обозначении конденсатора фигурирует значение номинальной ёмкости, в то время как реальная ёмкость может значительно меняться в зависимости от многих факторов. Реальная ёмкость конденсатора определяет его электрические свойства. Так, по определению ёмкости, заряд на обкладке пропорционален напряжениюмежду обкладками (q = CU). Типичные значения ёмкости конденсаторов составляют от единиц пикофарад до тысяч микрофарад. Однако существуют конденсаторы (ионисторы) с ёмкостью до десятков фарад.

Таблица 2.2 Параметры конденсаторов

Тип	Позиционное обозначение	Номинальная ёмкость, мкФ	Номинальное напряжение, В	Допустимые отклонения от номиналь-ной ёмкости, %	Интервал рабочих температур, °С	Интенсивно-сть отказа λ*10¯⁶ 1/ч
К73-17	С1	0,01мкФ- 0,47мкФ	680В	От+50 до -20	-40…..105	0,035
К50-6	С2-С4	0,25мкФ	160В	10%; 20%	-60…..+70	0,05

Диод Д814А относится к классу "Стабилитроны малой мошности".

Стабилитроном называют полупроводниковый диод, напряжение на обратной ветви ВАХ которого в области электрического пробоя слабо зависит от значения проходящего тока. Вольт-амперная характеристика стабилитрона проведена на рис. 2. Как видно, в области пробоя напряжение на стабилитроне (Uст.) лишь незначительно изменяется при больших изменениях тока стабилизации. Такая характеристика используется для получения стабильного напряжения.

Существующие стабилитроны имеют минимальное напряжение стабилизации примерно до 3 В. Для получения меньшего напряжения стабилизации используются стабисторы. В этих приборах, в отличии от стабилитронов, используется прямая ветвь ВАХ.

Важным параметром стабилитронов и стабисторов является температурный коэффициент напряжения стабилизации ТКН=(DUст./ DT) • 100%, который показывает, на сколько процентов изменится напряжение стабилизации при изменении температуры прибора на 1°С. Этот параметр у стабилитронов с напряжением стабилизации более 6В положительный, менее 6В - отрицательный. У стабилитронов с напряжением 6В ТКН минимален. Для уменьшения ТКН разработаны так называемые температурно-компенсированные прецизионные стабилитроны. В этих приборах путем последовательного соединения двух или более p - n переходов с различными по знаку ТКН удается получить стабилитроны с ТКН не более ± 0.0005%/°С в широком диапазоне температур. Такие стабилитроны могут применяться в источниках эталонного напряжения, вместо нормальных элементов.

Таблица 2.3- Основные параметры диода Д814А

Тип прибора	Предельные значения параметров при Т=25°С	Значения параметров при Т=25°С
Uст.ном. B	при Iст.ном. mA	Рмакс. mBt	Uст.	rст. Om	a ст. 10^-2 %/°С	Iст.
мин B	мах B	мин mA	мах mA
Д814А	8,0	5,0		7,0	8,5	6,0	7,0	3,0

Диод АЛ307Б относится к классу "Светоизлучающие диоды".

Излучающим диодом называют полупроводниковый прибор, излучающий кванты света при протекании через него прямого тока.

Светодиоды выпускаются красного, оранжевого, зеленого, желтого цветов свечения, а также с переменным цветом свечения. Последние имеют два электронно-дырочных перехода. Общий свет свечения зависит от соотношения токов, протекающих через эти переходы. Светодиоды чаще всего используют как индикаторные устройства.

Таблица 2.4-Основные параметры диода АЛ307Б

Тип прибора	Цвет свечения	Значения параметров при Т=25°С	Iпр.мах. mA	Uобр (Uобр.и) B	Тк.мах (Тп.) °С
Iv. мккд (L, кд/м^2)	Uпр. B	Iпр.ном. mA	lмах. mkM
АЛ307Б	Красный				0,666		2,0

КТ904А-VT1

Рисунок.2.1-Корпус: КТ904А

Описание и параметры

· Максимальное напряжени коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера(Uкбо макс),В: -

· Максимальное напряжени коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60

· Максимальное напряжени коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы(Uкэо макс),В: -

· Максимально допустимый ток коллектора (Iк макс,А): 0.8

· Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10

· Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц: 350.00

· Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Рк,Вт): 5

Структура КТ904А

Структура: NPN

Корпус: KT-42

КТ961-VT2

кремниевый биполярный

эпитаксиально-планарный

n-p-n транзистор

Назначение

Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для

использования в усилительных схемах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для

народного хозяйства

Обозначение технических условий

• аАО.336.358ТУ / 04

Особенности

• диапазон рабочих температур от - 45 до + 85 °С

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Назначение выводов

№1 Эмиттер

№2 Коллектор

№3 База

Рисунок.2.2- Корпус: Транзистор n-p-n- КТ904А

KT903A­-VT3,VT4 - описание производителя. Основные характеристики и параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.

Наименование производителя: KT903A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 115

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 300

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

КД503А-VD3

Рисунок.2.3- Корпус: КД503А

Технические характеристики КД503А
перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А	0.015
Способ монтажа	в отверстие
Максимальное постоянное обратное напряжение,В
Общая емкость,Сд.пФ
Максимальное импульсное обратное напряжение,В
Тип диода	импульсный
Рабочая частота,кГц
Максимальный обратный ток,мкА
при Iпр.,А	0.001

2.2 Характеристики активных радиоэлементов

Транзисторы

В данной схеме присутствуют активные радиоэлементы – транзисторы VT- это биполярные транзисторы. Они могут работать в самых разных режимах, отличающихся схемой включения, полярностью смещений на переходах и формой сигналов. Для полного описания их свойств требуется несколько сотен параметров. Знать все эти параметры, как правило, ненужно, поскольку многие из них характеризуют свойства БТ в редко используемых режимах работы.

Таблица 2.5 Параметры биполярных транзисторов

Маркировка	Коэффициент Усиления	Рассеиваемая мощность, мВт	Iобр.КБ, мкА	Iобр.ЭБ, мкА	Umax.КЭ, В	Структура
КТ315Г	400…..1000		0.015/20	10/3		npn

Рисунок.2.1-Корпус: Микросхемы К561ЛА7

Микросхема содержит четыре элемента И- НЕ, это одна из наиболее часто используемых микросхем в радиолюбительской практике. Микросхема К561ЛА7 (или К176ЛА7) имеет прямоугольный пластмассовый черный, коричневый или серый корпус с 14-ю выводами, расположенными по его длинным краям. Эти выводы изогнуты в одну сторону. На рисунках 1А, 1Б и 1В показано как производится нумерация выводов. Вы берете микросхему маркировкой к себе, при этом выводы оказываются повернуты в противоположную от вас строну. Первый вывод определяется по "ключу". "Ключ" — это выштампованная углубленная метка на корпусе микросхемы, она может быть в форме паза (рисунок 1А), в форме маленькой точки-углубления, поставленной возле первого вывода (рисунок 1Б), или в форме большой углубленной окружности (рисунок 1 В). В любом случае отсчет выводов ведется от помеченного "ключом" торца корпуса микросхемы. Как отсчитываются выводы показано на этих рисунках. Если микросхему перевернуть "на спину", то есть маркировкой от себя, а "ногами" (выводами) к себе, то положение выводов 1-7 и 8-14, естественно поменяются местами. Это понятно, но многие начинающие радио­любители эту мелочь забывают и это приводит к неправильной распайке микросхемы, в результате чего конструкция не работает, да и микросхема может выйти из строя.

Стабилитроны

Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма високо. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов

3 Подбор для замены пассивных и активных радиоэлементов

Таблица 3.1 Параметры постоянных резисторов общего назначения

Наименование параметра и размерность	Тип резистора
МЛТ	С1-4	Р1-12
Номинальная мощность рассеивания, Вт	0,125÷2	0,125÷0,5	0,062÷0,25
Номинальное сопротивление	8,2 Ом÷10 МОм	10 Ом÷10 МОм	1 Ом÷2 Мом
Допустимое отклонение сопротивления, ± %	2,5,10,20	1,2,5,10	2,5,10
ТКС х 10^-6,1/°С	±(7÷12)	-(0,06÷0,17)	±(5÷10)
Предельное рабочее напряжение, В	200-750
Интервал рабочих температур,^0 С	-60...+125	-60...+125	-60...+125
Допустимое ускорение g при	Вибрациях
Ударах
Линейных ускорениях
Минимальное атмосферное давление, Па
Масса, г	0,15 — 3,5	0,18-0,8	0,1-0,5
Установочная площадь, мм^2
Среднестатистическая интенсивность отказов, ƛ х 10^-6, 1/час		0,1	0,05

Резисторы Cl-4 являются углеродистыми. По сравнению с резисторами MЛТ они являются более высокочастотными, так как обладают небольшой паразитной ёмкостью в витках нарезки из-за меньшей толщины токопроводящего слоя. Они проявляют большую стойкость к импульсным нагрузкам, что важно для надёжности работоспособности преобразователя напряжения. Интенсивность отказов этого типа резисторов значительно меньше, чем у резисторов MЛT.

Конденсаторы К10-17 являются составными дифференциальной цепи. В ходе работы преобразователя напряжения происходит зарядка и перезарядка конденсаторов. Время, в течении которого происходят эти процессы, зависит от номинального значения ёмкости конденсаторов.

Таблица 3.2- Параметры керамических конденсаторов

Наименование параметра и размерность	Тин конденсатора
КЛГ	К10-17	К10-26
Номинальная ёмкость	18- 30000 пФ	2,2 пФ- 0,33 мкФ	1,2-274 пФ
Допустимое отклонение ёмкости, ± %	5;10;20; -20 + +80	5;10;20;-20 ++50
ТКЕ × 10^-6,1/^0С	-(47÷1500)	+33÷1500	0÷ ±30
Номинальное рабочие напряжение,В	70-250
Интервал рабочих температур,^0С	-60÷ -155	-60÷ +155	-66 ÷ 85
Среднестатистическая интенсивность отказов ƛ0 × 10^-6.1/час	1.0	1.2

Исходя из вышеизложенных требований, конденсатор К10-26 имеет наименьшее отклонение, поэтому отличается стабильным значением номинальной ёмкости.

Таблица 3.3-Технические параметры транзисторов биполярных КТ904А (2N3440S,2N3375)

Наименование параметра и размерность	КТ904А	2N3440S	2N3375
Структура	NPN	NPN	NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)	В60	В70	В60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр.в цепи б-э.(Uкэr макс),В
Максимально допустимый ток к (Iк макс,А)	0.8	0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц	350.00	330.00	370.00
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт)
Корпус	KT-42	KT-42	KT-42

Исходя из вышеизложенных требований, транзисторов биполярных -2N3440S имеет наименьшее отклонение, поэтому отличается стабильностью.

Таблица 3.4-Технические параметры транзисторов биполярных КТ961А(КТ815Г, КТ8272В)

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Uкэн, В
КТ961А	n-p-n			1500(2000)	1(12.5)	40-100	10	50	<0.5
КТ815Г			1500(2000)	1(12.5)	63-160	10	50	<0.5
КТ8272В			1500(2000)	1(12.5)	100-250	10	50	<0.5

Исходя из вышеизложенных требований, транзисторов биполярных -КТ8272В имеет наименьшее отклонение, поэтому отличается стабильностью.

Рисунок.3.1-Корпус: КТ961А

Uкбо	- Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои	- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо	- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои	- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax	- Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и	- Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax	- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т	- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э	- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо	- Обратный ток коллектора
fгр	- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн	- напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Таблица 3.5-Технические параметры транзисторов биполярных КТ903А(2N2947)

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Uкэн, В
КТ903А	n-p-n	60(80)	60(80)	3000 (5000)	(30)	15-70	10000	120	<2.5
2N2947	60(80)	60(80)	3000 (5000)	(30)	40-180	10000	120	<2.5

Исходя из вышеизложенных требований, транзисторов биполярных- 2N2947 имеет наименьшее отклонение, поэтому отличается стабильным значеним.

Рисунок.3.2-Корпус: КТ903А

Диод Д223А относится к классу "Выпрямительные диоды малой мощности".

Таблица 3.6-Основные параметры диода Д223А(CA100)

Тип прибора	Предельные значения параметров при Т=25°С	Значения параметров при Т=25°С	Тк.мах (Тп.) °С
Uобр.макс. (Uобр.и.мак.) B	Iпр.макс. (Iпр.и.мак.) mA	Iпрг. A	fраб. (fмакс.) kГц	Uпр. B	при Iпр. mA	Iобр. mkA
Д223А			0,5		1,0		1,0
CA100			0,5		1,0		0,9

Диод Д223А относится к классу "Выпрямительные диоды малой мощности".и поэтому CA100 диод подходит для замены потому что у него наименьшие отклонение

Таблица 3.7- Основные параметры диода Д814А(КС196А)

Тип прибора	Предельные значения параметров при Т=25°С	Значения параметров при Т=25°С
Uст.ном. B	при Iст.ном. mA	Рмакс. mBt	Uст.	rст. Om	a ст. 10^-2 %/°С	Iст.
мин B	мах B	мин mA	мах mA
Д814А	8,0	5,0		7,0	8,5	6,0	7,0	3,0
КС196А	9,0	4,0		8,0	9,0	6,0	5,0	4,0

Диод Д814А относится к классу "Выпрямительные диоды малой мощности".и поэтому КС196А диод подходит для замены потому что у него наименьшие отклонение

Таблица 3.8-Основные параметры диода АЛ307Б(АЛ336К)

Тип прибора	Цвет свечения	Значения параметров при Т=25°С	Iпр.мах. mA	Uобр (Uобр.и) B	Тк.мах (Тп.) °С
Iv. мккд (L, кд/м^2)	Uпр. B	Iпр.ном. mA	lмах. mkM
АЛ307Б	Красный				0,666		2,0
АЛ336К	Красный				0,777		3,0

Диоды светоизлучающие АЛ336К подходит для замены потому что у него больше рассевания света.

Рисунок 3.3- Габаритный чертеж корпуса светоизлучающих диодов 3Л102А, 3Л102Б, 3Л102Г, АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г.

Таблица 3.9-Параметры диодов КД503А(1N5720, HMG4147)

Наимен.	Uобр.,В	Iпр. max, A	Iобр.max, мкА	Fdmax, кГц	Тип корпуса
КД503А		0.05
1N5720		0.05
HMG4147		0.10

Диод КД503А относится к классу "Выпрямительные диоды малой мощности".и поэтому HMG4147 диод подходит для замены потому что у него наименьшие отклонение

Таблица 3.10-Параметры К561ЛА7(CD4011A) Цифровая интегральная микросхема КМОП логики

Наименование параметра Значение	Обозначение	CD4011A	К561ЛА7
Напряжение питания	Uпит	4…20В	3...18В
Максимальное напряжение лог. "0"	Uolmax	<3.0B	<2.9В
минимальное напряжение лог "1"	UoHmin	>8.5B	>7.2В
Ток потребеления при лог. "0" и Uпит=18В	Iil	15mA	15mA
Ток потребеления при лог. "1" и Uпит=18В	Ihl	25mA	30mA
Выходной ток	Iol,Ioh	35mA	42mA
Время задержки распространения сигнала	tplh,tphl	80нC	80нС
Диапазон рабочих температур	tраб	-55…+75C	-45...+85С

Рисунок 3.4- Микросхема

Микросхема CD4011A при меньших габаритах имеет меньшее значение интенсивности отказов по сравнению с другими типами Микросхем. Поэтому он выбран в качестве основного для замены

4 Подбор радиоэлементов-аналогов зарубежного производства

Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов, возникают при необходимости замены вышедшего из строя прибора в конкретной аппаратуре, а также при определении возможности воспроизведения интересующего устройства (схемы).
Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов предполагает совпадение их функционального назначения, электрических параметров и характеристик, конструктивного оформления, габаритных и присоединительных размеров, формы и расположения выводов, электрической связи выводов с корпусом, надёжности и стабильности. Однако полного совпадения получить практически невозможно, так как процесс создания полупроводниковых приборов — это технологический процесс, характерный для каждой фирмы изготовителя.
Принципы и методы определения наиболее вероятных значений и установления норм и допусков электрических параметров, принятые в разных странах, неодинаковы. Очевидно, что в ряде случаев нормы, устанавливаемые на параметры, могут значительно отличаться от их реальных значений.
Эксплуатационные свойства полупроводниковых приборов описываются большим числом параметров, поэтому можно считать, что практически полная тождественность отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов недостижима и не во всех случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной) или приближённой их эквивалентности. Подбор аналогов должен проводиться с учётом конкретной электрической схемы, а не только путём формально сравнения всех параметров приборов в совпадающем или близком режимах измерений. При воспроизведении технических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворятся, прежде всего, требования к выходным параметрам. Поэтому не все параметры полупроводниковых приборов будут одинаково важными, а только те, по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость.
Таким образом, наличие конкретной схемы приводит к сокращению числа рассматриваемых параметров и упрощению решения задачи по подбору эквивалентных приборов за счёт выявленных требований к выходным параметрам и определения реального режима работы приборов. При анализе комплекса выходных параметров их условно можно разделить на основные (требуется наилучшее сочетание их значений) и второстепенные (значения могут меняться довольно в широких пределах) параметры.

Таблица 4.1 Зарубежные аналоги

Позиционные Обозначения	Тип радиоэлемента	Наименование, основной параметр	Аналог
R3…R9	Резистор постоянный МЛТ-0.125 МЛТ-0,125	Резистор металлизированный, лакированный, теплостойкий, 0,125 Вт	RL M1L-R-2268A
R1,R2	Резистор переменный СПЗ-41	Резистор регулируемый однооборотный, с круговым перемещением подвижной системы, 22 КОм.	RW MDL-R-93
C4,C5	Конденсатор постоянный KI0-I7	Конденсатор керамический, высокочастотный, 150 пф...0,1мкФ	SR-10-1000
C1…C3, C6…C12	Конденсатор постоянный К50-6	Электролитический алюминиевый оксидный конденсатор, 47,..470мкФ	GR-50-470
VT1	Биполярный' транзистор КТ904А	Транзистор высокочастотный, маломощный, р-п-р структуры	2N3440S
VT3, VT4	Биполярный Транзистор КТ903А	Транзистор высокочастотный, маломощный, п-р-п структуры	2N2947
VT2	Биполярный Транзистор КТ961А	Транзистор высокочастотный, маломощный, п-р-п структуры	КТ8272В
VD1,VD2	Диод Д223А	относится к классу "Выпрямительные диоды малой мощности"	CA100
HL1	Диод АЛ307Б	относится к классу "Светоизлучающие диоды"	АЛ336К
VD4	Диод Д814А	относится к классу "Выпрямительные диоды малой мощности"	КС196А
VD3	Диод КД503А	относится к классу "Выпрямительные диоды малой мощности	HMG4147
DD1	Микросхема К561ЛА7	Вычислительная Микросхема	CD4011A

5 Обеспечение надежности

Надёжность — свойство объекта сохранять во времени в установленных пределах значения всех параметров, характеризующих способность выполнять требуемые функции в заданных режимах и условиях применения, технического обслуживания, хранения и транспортирования. Интуитивно надёжность объектов связывают с недопустимостью отказов в работе. Это есть понимание надёжности в «узком» смысле — свойство объекта сохранять работоспособное состояние в течение некоторого времени или некоторой наработки. Иначе говоря, надёжность объекта заключается в отсутствии непредвиденных недопустимых изменений его качества в процессе эксплуатации и хранения. Надёжность тесно связана с различными сторонами процесса эксплуатации. Надёжность в «широком» смысле — комплексное свойство, которое в зависимости от назначения объекта и условий его эксплуатации может включать в себя свойства безотказности, долговечности, ремонтопригодности и сохраняемости, а также определённое сочетание этих свойств. Для количественной оценки надёжности используют так называемые единичные показатели надёжности (характеризуют только одно свойство надёжности) и комплексные показатели надёжности (характеризуют несколько свойств надёжности).

Таблица 5.1. Значение интенсивности отказов радиоэлементов

Позиционное обозначение	Тип радиоэлемента по базавому зарианту	Интенсивность отказа λ0×10-6, 1/час	Тип падиоэлемента аналог	Интенсивность отказа аналога λ0×10-6, 1/час
R3…R9	МЛТ 0.125		RLM1L-R-2268A	0.1
R1,R2	СПЗ-41	1.5	RW MDL-R-93
C4,C5	KI0-I7	1.1	SR-10-1000	0.3
C1…C3,C6…C12	К50-6	1.4	GR-50-470	0.5
VT1	КТ904A	1.5	2N3440S	1.0
VT3,VT4	КТ903А	0.6	2N2947	0.3
VT2	КТ961А	1.3	КТ8272В	1.1

Продолжение Таблица 5.1

Позиционное обозначение	Тип радиоэлемента по базавому зарианту	Интенсивность отказа λ0×10-6, 1/час	Тип падиоэлемента аналог	Интенсивность отказа аналога λ0×10-6, 1/час
VD1,VD2	Диод Д223А	2.0	CA100
HL1	Диод АЛ307Б	1.5	АЛ336К	0.9
VD4	Диод Д814А	1.8	КС196А	1.2
VD3	Диод КД503А	1.2	HMG4147	0.8
DD1	К561ЛА7		CD4011A	0,5
Суммарное значение		15.9		8.7

Таким образом исходя из данных таблицы 5.1. Можно заключить что подобранный комплект радиоэлементов имеет меньше значение сумарной интенсивности отказов а это значит что он обеспечит надежную работу радиомаяка после ремонта. Значительно меньшей интенсивностью отказов обладают SMD компоненты.

Ниже приведена таблица возможных замен для радиомаяка традиционных радиоэлементов со штырьковыми выводами на без выводные SMD компоненты.

Таблица 5.2. Типы SMD компонентов

Позиционное обозначение	Тип р/э по базовому варианту	Тип SMD компонентов.Тип корпуса
R3…R9	Резистор RLM1L-R-2268A
R1,R2	Резистор RW MDL-R-93
C4,C5	Конденсатор SR-10-1000

Продолжение Таблица 5.2

Позиционное обозначение	Тип р/э по базовому варианту	Тип SMD компонентов.Тип корпуса
C1…C3 C6…C12	Конденсатор GR-50-470
VT1	Биполярный' транзистор 2N3440S	TSOP48xx
VT3,VT4	Биполярный Транзистор 2N2947	BST82, SOT-89 L=3mm W=1.4mm H=1mm
VT2	Биполярный Транзистор КТ8272В
VD1,VD2	Диод CA100	TO220AB
HL1	Диод АЛ336К
VD4	Диод КС196А	SOT23
VD3	Диод HMG4147
DD1	Микросхема CD4011A	SOT21

Однако использование SMD компонентов возможно только при изменении топологии печатной платы радиомая́к с использованием поверхностного монтажа.

Выводы о проделанной работе

Входе работы над курсовой работой была проанализирована схема электрическая принципиальная, были определены типы активных и пассивных р/э базовой схемы. В работе дана полная характеристика всех использованных р/э. Для замены в случае ремонта проанализирована отечественная и зарубежная элементная база, подобраны аналоги с учетом электронных параметров и особенностью корпусов заменяемых р/э. Дополнительно в работе даны рекомендации по реализации схемы дистанционного выключателя на современной элементной базе SMD компонентов.

Перечень используемых источников

1 Акимов Н.Н. Справочник. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели. -Минск:, Беларусь, 1994/

2 Анисимов М.Н. Элементы электронной аппаратуры и их использ

-К: В ища школа, 1997*

3 Барышников В Л. Монтаж радиоэлектронной аппаратуры. -К: Хехника,

1986.

4 Бирюков С. Таймер для зарядки аккумулятора электробритвы. - Радио,

2000, №, с.27, 28

5 Лярский В.Ф. Справочник. Электрические соединители. -М: Радио и связь, 1988.

6 Нестеренко И.И. Цветовая и кодовая маркировка радиоэлектронных компонентов зарубежных и отечественных. -М: Солон-Р, 2000

Дата добавления: 2015-09-29