|
УГО МОП транзисторов:
– с проводящим каналом (сплошная линия в УГО)
с каналом n -типа;
с каналом p -типа;
с каналом n -типа и выводом от кристалла подложки
2-х затворный с каналом n –типа (затвор 1– против истока)
– с индуцированым каналом (пунктир в УГО)
с каналом n -типа;
с каналом p -типа;
с каналом n -типа и соединением подложки c истоком;
Дата добавления: 2015-08-29; просмотров: 28 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая лекция | | | следующая лекция ==> |
38 Объекты ГЭЭ на уровне субъектов РФ. | | | Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. |