Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

33. Схеми включення Біп-транзисторів



33. Схеми включення Біп-транзисторів

Біполярний транзистор - це напівпровідниковий прилад з дво­ма взаємодіючими р-n-переходами, сформованими у межах одного монокристала, що володіє підсилювальними властивостями за рахунок явищ інжекції та екстракції неосновних носіїв заряду.

Залежно від типу спільного електрода, відносно якого відрахо­вується потенціал, розрізняють три схеми під'єднання транзис­торів: схема зі спільною базою (СБ), схема зі спільним емітером (СЕ) і схема зі спільним колектором (СК)

Схема зі СБ характеризується, порівняно зі схемами із СК і СЕ, найнижчим і найвищим вихідними опорами. У схемі зі СБ кое­фіцієнт підсилення по струму K1< 1, коефіцієнт підсилення по на­прузі КU>1.

Схема зі СЕ характеризується відносно високим вхідним і вихідним опорами, КI> 1, КU< 1. Схема зі СК характеризується най­вищим вхідним і найнижчим вихідним опорами та КI> 1, КU< 1. Найбільше використання знаходить схема зі СЕ. Для схеми зі СБ коефіцієнт підсилення по струму не відбувається, однак транзистор зі СБ дає змогу отримати велике підсилення по напрузі.

 


Дата добавления: 2015-08-29; просмотров: 20 | Нарушение авторских прав




<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
к Порядку предоставления в 2015 году социальных выплат на организацию предпринимательской деятельности гражданам из числа молодежи в возрасте от 22 до 30 лет, реализующим | - Свидание через интернет? 1 страница

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)