Федеральное агентство по рыболовству

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО РЫБОЛОВСТВУ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

"МУРМАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"

А.Б. Власов

ЭЛЕКТРОНИКА

часть I ²Элементы электронных схем²

Допущено Ученым советом МГТУ

в качестве учебного пособия для курсантов и студентов

по дисциплинам

“Электротехника и электроника”

“Общая электротехника и электроника”

“Судовая электроника и силовая преобразовательная техника“

для технических специальностей

Мурманск

УДК 621.382 (075)

ББК 32.85 + 32.844

Власов, А.Б. Электроника, часть I ²Элементы электронных схем²; Учеб. пособие по дисциплинам ²Электротехника и электроника², ²Общая электротехника и электроника², “Судовая электроника и силовая преобразовательная техника“: Учеб. пособие для технических специальностей / А.Б. Власов. - Мурманск: Изд-во МГТУ, 2009. – 157 с.

Рассмотрены вопросы строения, принципов работы элементов электронных схем – дискретных полупроводниковых приборов.

Предназначено в качестве дополнительного материала для самостоятельной работы для студентов всех форм обучения, обучающихся по техническим специальностям.

The considered questions of the construction, principle of the work element electronic schemes - a discrete semiconductor devices.

It is intended as additional material on independent work for student of all forms of the education, training on technical profession.

Илл. 60; список лит. – 42 названий.

Рецензенты:

Артеменко С.И., председатель НТС инжиниринговой фирмы ²Энергоконсультант²;

И. Л. Бродский, профессор Мурманского областного института повышения

квалификации работников образования и культуры;

Анатолий Борисович Власов

Электроника, часть I: ²Элементы электронных схем²

В авторской редакции

©Анатолий Борисович Власов

©Мурманский государственный

технический университет, 2009

ISBN

Оглавление
ЧАСТь I. Элементы электронных схем
Глава 1. Радиокомпоненты на основе полупроводниковых материалов
1.1. Свойства полупроводников
1.1.1. Образование носителей заряда в полупроводниках
1.1.1.1. Собственные полупроводники
1.1.1.2. Донорные полупроводники n -типа
1.1.1.3. Акцепторные полупроводники р -типа
1.1.2. Проводимость полупроводников
1.1.3. Закон действующих масс
1.2. Терморезисторы: позисторы и термисторы
1.3. Варисторы
1.4. Фотоэлектрические явления. Фоторезисторы
1.5. Эффект Ганна. Диод Ганна
1.6. Гальваномагнитные явления
1.6.1. Эффект Холла
1.6.2. Магниторезистивный эффект Гаусса. Магниторезисторы
1.6.3. Гальванотермомагнитные эффекты
Глава 2. ДИОДЫ
2.1. Образование и свойства р-n- перехода
2.1.1. Р-n -переход в отсутствие внешних напряжений
2.1.2.. Прямое смещение p-n -перехода
2.1.3. Обратное смещение p-n -перехода
2.1.4. Вольтамперная характеристика p-n-перехода
2.2. Полупроводниковые диоды
2.2.1. Общие сведения о технологии изготовления диодов
2.2.2. Понятие о характеристиках идеальных и реальных диодов
2.2.3. Выпрямительные диоды
2.2.4. Импульсные диоды
2.2.5. Кремниевые стабилитроны
2.2.6. Варикапы
2.2.7. Туннельные диоды
2.2.8. Фотодиоды и фотоэлементы
2.2.9. Светоизлучающие диоды
2.2.10. Диоды с барьером Шоттки
2.1.11. Обращенные диоды
2.2.12. Общие сведения об обозначении полупроводниковых диодов
Глава 3. Биполярные транзисторы
3.1. Структура биполярного транзистора
3.2. Принцип действия биполярного транзистора в различных режимах
3.2.1. Схемы включения и режимы работы
3.2.2. Принцип действия транзистора и его статические параметры
3.3. Параметры и характеристики различных схем
3.3.1. Схема с общей базой
3.3.2. Схема с общим эмиттером
3.3.3. Схема с общим коллектором
3.4. Схемы замещения транзистора в физических параметрах
3.4.1. Схема замещения с общей базой
3.4.2. Схема замещения с общим эмиттером
3.5. Транзистор как активный четырехполюсник и его h -параметры
3.5.1 Общие сведения об h -параметрах транзистора
3.5.2. Экспериментальные расчеты h - параметров
3.6. Основные параметры реальных транзисторов
3.7. Общие сведения об обозначении транзисторов
ГЛАВА 4. Полевые транзисторы
4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n -переходом (ПТУП)
4.1.1. Структура ПТУП
4.1.2. Принцип работы ПТУП
4.1.3. Вольтамперные характеристики ПТУП
4.2. Полевой транзистор с изолированным затвором (ПТИЗ)
4.2.1. Структура ПТИЗ
4.2.1.1. Встроенный канал
4.2.1.2. Индуцированный канал
4.2.2. Вольтамперные характеристики ПТИЗ
4.3. Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT)
4.3.1. Особенности реального мощного ПТИЗ
4.3.2. Строение IGBT
4.4. Статический индукционный транзистор СИТ
4.5. Однопереходной транзистор
ГЛАВА 5. Тиристоры
5.1. Принцип работы динистора
5.2. Принцип работы тринистора
5.3. Параметры и разновидности тиристоров
5.4. Применение тиристоров
5.4.1. Схема однополупериодного выпрямления
5.4.2. Схемы управления двигателями
5.4.3. Применение фототиристоров в схемах управления
5.5. Общие сведения об обозначении тиристоров
Литература

Дата добавления: 2015-08-29