Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Проходные характеристики ПТ.

Статические характеристики в схеме с общим коллектором | Системы параметров | Физический смысл коэффициентов | Параметры транзистора | Коэффициент обратной связи по напряжению | Коэффициент усиления по мощности | Параметры | Коэффициент передачи тока в схеме с общей базой ВЧ и при обратном импульсном сигнале | Предельная частота | Максимальная частота генерации. |


Читайте также:
  1. II. Характеристики Божьего остатка
  2. Вина и ее основные характеристики
  3. Возможности характеристики крупности
  4. Воспринимаемые и объективные характеристики работы
  5. ДОКАЗАТЕЛЬСТВО ХАРАКТЕРИСТИКИ СЕКУНДЫ КАК УНИВЕРСАЛЬНОГО КВАНТА ВРЕМЕНИ
  6. Зависимость характеристики и параметров диодов от температуры
  7. и их характеристики (по Н. Моисеевой и П. Забелену)

Это зависимость тока стока от .

ПТ, управляемый p-n переходом, работающий в режиме обеднения канала носителями зарядов при изменении напряжения от 0 до .

Проходные характеристики ПТ с управляющим р-n переходом хорошо анализируется выражением:

,

Где Uзи отсечки – U, при котором Iс=0,

n – теоретическое значение, равно 2

ПТ с изолированным затвором.

Это МОП и МДП - транзисторы. Бывают двух типов:

- с индуцированным каналом

- со встроенным каналом

Структура ПТ с изолированным затвором:

1- область истока

2- подложка

3- область стока

4- область канала

5- диэлектрик

6- металлизация затвора

7- металлизация тыльной стороны подложки

Канал может быть встроенным или индуцированным. Если он встроен, то ток может протекать между истоком и стоком при нулевом напряжении на затворе. Если он индуцированный, то ток между истоком и стоком может протекать, только если к затвору приложенное напряжение больше .

Подложка из чистого или слабо легированного Si. В ней диффузией создаются сильно легированные области противоположной полярности, которые будут являться областями истока и стока. Между ними создается слой диэлектрика на поверхности толщиной 0,15 – 0,3 мкм.

Для этой цели используются любые диэлектрики, обладающие необходимыми электрофизическими параметрами. Наибольшее применение нашли два типа диэлектриков SiO2, нитрид – кремния. Сверху этот слой покрывают слоем металла, который является затвором.

При приложении напряжения к структуре металл – диэлектрик – полупроводник из-за большой разности сопротивления между диэлектриком и полупроводником электрическое поле будет существовать только в диэлектрике. Поэтому в полупроводнике вблизи границы раздела образуется поверхностный заряд, величина которого зависит от величины и полярности напряжения.

 


Принцип работы ПТ с индуцированным каналом.

При соединении полупроводника n- типа с диэлектриком под затвором для образования канала с дырочной проводимостью необходимо приложить к затвору «-» . Оно нужно:

· для компенсации положительного заряда сосредоточенного на границе раздела диэлектрик – полупроводник

· для оттеснения основных носителей зарядов (электронов) из приповерхностной зоны.

Увеличение «-» приводит к тому, что концентрация ионов примесей будет недостаточной для компенсации электрического поля в диэлектрике. В результате происходит вытеснение собственных электронов и происходит инверсия типов проводимости в поверхностном слое, т.е. образуется p – типа. Образовавшийся канал между стоком и истоком при приложении соответствующего напряжения будет пропускать ток канала работающего в режиме обогащения

Напряжение на затворе, при котором проявляется проводимость канала, называется пороговым. Без подачи напряжения на затвор сопротивление сток-исток в таком транзисторе очень велико и соответствует сопротивлению двух встречно включенных диодов при нулевом смещении. При через образованный слой, потечет ток, если приложить напряжение между стоком и истоком.

Как и у ПТ, управляемого p-n переходом, увеличение напряжения сток-исток приводит сначала к линейному росту тока, а затем перекрытию канала у истока и насыщению тока канала. При дальнейшем увеличении точка перекрытия канала будет смещена к истоку. Ток стока при этом будет постоянным. Механизм переноса носителей через область такой же как и у БТ, включенного по схеме с ОБ из коллекторного перехода.


ПТ со встроенным каналом.

В нем при =0 существует проводимость поверхности канала. При подключении на затвор положительного напряжения электрическое поле в диэлектрике будет подтягивать к поверхности полупроводника p-типа электроны, которого увеличивают первоначальную проводимость канала.

При подаче отрицательного напряжения на затвор электрическое поле будет уменьшать проводимость канала.

 

 


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 54 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Транзисторы с p-n переходом.| Приборы с отрицательным сопротивлением

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)