Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Вопрос 32. Статические параметры и характеристики полевых транзисторов управляющим р-п переходом.

Вопрос 19. Туннельные и обращаемые диоды основные параметры и характеристики. | Вопрос 20. Конструктивные особенности СВЧ диодов, классификация и область использования. | Вопрос 21. Биполярные транзисторы, физические процессы и их обозначение. | Вопрос 22. Активный режим работы БТ с ОБ, входные и выходные характеристики и параметры. | Вопрос 23. Активный режим работы БТ с ОЭ, входные и выходные характеристики и параметры. | Вопрос 25. Принцип работы биполярного транзистора с общей базой при подаче синусоидального напряжения. | Вопрос 26. Принцип работы биполярного транзистора с общим эмиттером при подаче синусоидального напряжения. | Вопрос 28. Работа биполярного транзистора с ВЧ сигналами | Вопрос 29. Особенности конструкции и структуры СВЧ-транзисторов | Вопрос 30. Классификация полевых транзисторов, отличительные особенности их работы. |


Читайте также:
  1. I.3. Равновесные и неравновесные взаимодействия. Статические и нестатические процессы.
  2. J ПОСТУПАТЕЛЬНОЕ ДВИЖЕНИЕ И ЕГО ХАРАКТЕРИСТИКИ
  3. L Характеристики затухания
  4. Output options (Параметры вывода)
  5. Solver options (Параметры расчета)
  6. Аудитория СМИ – определение, характеристики, социально-психологическая типология.
  7. Виды и характеристики адсорбентов

Рассмотрим вольтамперные характеристики полевых транзисторов с р-n-переходом. Для этих транзисторов представляют интерес два вида вольт-амперных характеристик: стоковые и стоко-затворные.


Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с р-n-переходом и каналом n-типа показаны на рис.1. Они отражают зависимость тока стока от напряжения Uси при фиксированном напряжении Uзи:Ic=F(Uси) при Uзи=const представляются в виде семейства кривых. На каждой из этих кривых можно выделить три характерные области: I — сильная зависимость тока Ic от напряжения Uси (начальная область); II — слабая зависимость тока Ic от напряжения Uси; III — пробой p-n-перехода.

 

 

Рис. 1. Семейство стоковых (выходных) характеристик

Рис. 2. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с p-n-переходом и каналом п-типа
Особенностью полевого транзистора является то, что на проводимость канала оказывает влияние как управляющее напряжение Uзи, так и напряжение Uси.

 

Рис. 2.7. Поведение полевого транзистора с р-n-переходом и каналом n-типа

при подключении внешних напряжении: а — Uзи <0 Uси =0; б — Uзи =0 Uси >0; в — Uзи <0 Uси >0

На рис. 2.7, а внешнее напряжение приложено только к входной цепи транзистора. Изменение напряжения Uзи приводит к изменению проводимости канала за счет изменения на одинаковую величину его сечения по всей длине канала. Но выходной ток Iс =0, поскольку Uзи =0.
Рис. 2.7, б иллюстрирует изменение сечения канала при воздействии только напряжения Uси (Uзи =0). При Uси >0 через канал протекает ток Iс, в результате чего создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока. Суммарное падение напряжения участка исток — сток равно Uси. В силу этого потенциалы точек канала n-типа будут неодинаковыми по его длине, возрастая в направлении стока от нуля до Uси. Потенциал же точек р-области относительно истока определяется потенциалом затвора относительно истока и в данном случае равен нулю. В связи с указанным обратное напряжение, приложенное к p-n-переходам, возрастает в направлении от истока к стоку и p-n-переходы расширяются в направлении стока. Данное явление приводит к уменьшению сечения канала от истока к стоку (рис. 2.7, б). Повышение напряжения Uси вызывает увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечений, а, следовательно, уменьшение проводимости канала. При некотором напряжении Uси (соответствующим точке б на рис.2.7) происходит сужение канала, при котором границы обоих p-n-переходов смыкаются (рис. 2.7, б) и сопротивление канала становится высоким.
На рис. 2.7, в отражено результирующее влияние на канал обоих напряжений Uзи и Uси. Канал показан для случая смыкания р-n-переходов.

Основными параметрами полевого транзистора являются: максимальный ток стока Ic max, максимальное напряжение стока Uси max, напряжение отсечки Uзи0, внутреннее сопротивление ri, крутизна S, входное сопротивление rвх, а также межэлектродные емкости затвор — исток Сзи, затвор — сток Сзс и сток — исток Сси.

Максимальное значение тока стока Ic max соответствует его значению в точке в на выходных характеристиках (при Uси =0). Максимальное значение напряжения сток — исток Uси max выбирают в 1,2—1,5 раза меньше напряжения пробоя участка сток — затвор при Uзи =0. Напряжению отсечки Uзи0 соответствует напряжение на затворе при токе стока, близком нулю. Внутреннее сопротивление транзистора характеризует наклон выходной характеристики на участке ^ II (см. рис. 1). Крутизна стоко-затворной характеристики отражает влияние напряжения затвора на выходной ток транзистора. Крутизну ^ S находят по стоко-затворной характеристике прибора (рис. 2). Входное сопротивление rвх=dUзи/dI з транзистора определяется сопротивлением р-n-переходов, смещенных в обратном направлении. Входное сопротивление полевых транзисторов с p-n-переходом довольно велико, что выгодно отличает их от биполярных транзисторов. Межэлектродные емкости Сзи и Сзс связаны главным образом с наличием в приборе р-n-переходов,примыкающих соответственно к истоку и стоку.

 


Дата добавления: 2015-09-02; просмотров: 165 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Вопрос 31. Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом, устройство и принцип действия.| Особенности работы МПД транзисторов со встроенным каналом.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)