Диоды Шоттки

В основе выпрямляющего диода может использоваться не только переход между полупроводниками p- и n- типа,но и между полупроводником и металлом. Такие диоды называются диодами Шоттки.

Этот контакт будет обладать выпрямительными свойствами, ес­ли приповерхностный слой полупроводника обеднен о.н.з. Это может произойти, если металл выбирается таким, у которого ра­бота выхода электрона в соотношении с работой выхода элек­трона полупроводника будет создавать в контактной области обедненный слой, сопротивление которого много больше сопро­тивления остальной части полупроводниковой пластины.

Отличие диода с р-п-переходом от диода Шоттки заключа­ется в отсутствии инжекции н.н.з. при прямом смещении, явлении накопления и рассасывания этих носителей (нет диффузионной ем­кости). Инерционность диода Шоттки обусловлена только наличи­ем барьерной емкости контакта (С = 0,01 пФ). Падение напряжения на открытом диоде составляет 0,2 — 0,3 В вместо 0,7 В в кремние­вом диоде, так как сопротивление металла меньше по сравне­нию с полупроводником. Диод выдерживает обратное напряже­ние до 500 В, а прямой ток — до нескольких десятков А (рис. 1.5).

Контакт металла и полупроводника может не обладать вы­прямительными свойствами, если на поверхность нанести ме­талл с работой выхода электронов меньше, чем у полупровод­ника п-типа. Поэтому металл будет отдавать электроны в полу­проводник, обогащая приконтактный слой.

Если полупроводник р-типа, то металл должен обладать боль­шей работой выхода, тогда полупроводник будет отдавать электро­ны в металл, а приконтактный слой будет обогащаться дырками. Такой контакт используется для подключения областей полупро­водника в электрические цепи.Диод Шоттки часто используется для организации работы биполярного транзистора в области усиления на границе с зоной насыщения, что обеспечивает высокое быстродействие при пере­ключении транзистора из-за отсутствия накопления в базе транзистора н.н.з.

Рис.1.5 ВАХ диода Шоттки(а) и его условно обозначение

Основные технологические процессы изготовления p-n переходов

Технологические методы производства:

1. Метод сплавления

2. Метод диффузии

3. Метод эпитаксиального наращивания

4. Ионное легирование

5. Оксидное маскирование

6. Фотолитография

Дата добавления: 2015-08-26