Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Указания по их изучению

Читайте также:
  1. I. УКАЗАНИЯ К ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ
  2. III ОРГАНИЗАЦИОННО-МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ПРОВЕДЕНИЮ УЧЕБНОГО ЗАНЯТИЯ
  3. IX. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К СЕМИНАРСКИМ ЗАНЯТИЯМ. ПРИМЕР.
  4. V. Практические указания к пользованию Катехизисом
  5. А. Методические указания по подготовке семинарских занятий
  6. Б. Рекомендации по изучению дисциплины
  7. В курсе для закрепления полученных знаний по теме предусмотрено семинарское занятие по проблемам философии (см. методические указания по семинарским занятиям).

 

При изучении дисциплины «Физические основы электроники» следует пользоваться, как правило, основной литературой. В ней наиболее доступно и кратко изложены основные вопросы программы дисциплины электроники. В дополнительной литературе эти же вопросы изложены более полно и строго, с использованием математического аппарата. Работы [3,7] могут облегчить выполнение контрольных работ.

Для каждой части темы указаны источники литературы с указанием глав и параграфов, например, [2, гл.3, §4,6]. Первым всегда указан тот источник, который наиболее полно соответствует программе.

 

1. Введение.

Роль электроники. Особые свойства электронных приборов. Развитие электроники. Дискретные полупроводниковые приборы. Интегральные схемы.

Литература: [1, 2, 6, 4].

2. Полупроводники.

Общая характеристика полупроводниковых материалов. Собственные полупроводники - кристаллическая структура, зонные диаграммы. Примесные полупроводники n -типа (электронные) и р -типа (дырочные) - кристаллическая структура, зонные диаграммы.

Прохождение тока через полупроводники: электронная и дырочная, дрейфовая и диффузионная составляющие полного тока в полупроводнике.

Литература: [1, §1,1], [2], [6, гл. 1].

3. Электронно-дырочные переходы. Диоды.

Образование и равновесие электронно-дырочного перехода (р - n -перехода) в кристалле с резкой границей между зонами с разным типом проводимости (между р - и n -зонами). Токи в p - n -переходе в равновесии (тепловой и диффузионный). Смещение p - n -перехода внешним напряжением. Прямое и обратное направление. Эквивалент ключа.

Вольтамперная характеристика (ВАХ) p - n -перехода (теоретическая).

Диоды. Устройство и принцип действия. Сопоставление с p - n -переходом. ВАХ диода теоретическая и реальная Различия реальной и теоретической ВАХ. Пробой p-n-перехода (диода). Параметры диода.

Разновидности диодов: выпрямительные диоды (силовые, средней и малой мощности), кремниевые стабилитроны, импульсные диоды, туннельные и обращенные диоды. Дополнительные параметры, характеризующие различные группы диодов (например, стабилитронов, импульсных диодов и др.).

Литература: [1, §1,2], [2], [6, гл. 3,4,5], [4, §2.3 ¸ 2.6], [8, гл. 2,3].

4. Биполярные транзисторы.

Этот раздел является ключевым для всего курса электроники, поэтому проработать (изучить) его следует особенно внимательно.

Биполярный бездрейфовый транзистор p - n - p и n - p - n -типа. Устройство и принцип действия p - n - p -транзистора. Потенциальная диаграмма. Потоки носителей в эмиттерном и коллекторном р - n -переходах и в базе. Управление током коллекторного перехода. Коэффициент передачи тока a. Связь величины a с толщиной базы W и со средней длиной диффузии Lp дырок в n -области (базе). Транзистор n - p - n -типа и его отличия от р - n - p -транзистора.

Три схемы включения транзистора в электрической цепи: ОБ, ОЭ, ОК и краткая их характеристика.

Статические характеристики транзистора - выходные (коллекторные) и входные (эмиттерные) для схем ОБ и ОЭ. Предельные режимы по постоянному току.

Литература: [1, § 1.3], [2], [6, § 1.1 ¸ 1.4], [4, § 2.7].

Режим малого сигнала (малых приращений DI, DU). Внутренние малосигнальные параметры транзистора: r э, r б, a(b), rk (rk *), Ck (Ck *). Т -образная эквивалентная малосигнальная схема транзистора ОБ и ОЭ с использованием внутренних малосигнальных параметров. Зависимость внутренних малосигнальных параметров от режима (Ik, Uk) и от температуры.

Литература: [1, § 1.3], [2], [6, § 1.6], [4, § 2.7].

Четырехполюсниковые малосигнальные параметры - h -параметры транзистора. Эквивалентная схема транзистора с использованием h -параметров (малосигнальная). Достоинства и недостатки h -параметров. Связь h -параметров с внутренними малосигнальными параметрами. Определение h -параметров по статическим характеристикам транзистора.

Литература: [1, § 1.3], [6, § 1.6.2], [4, § 2.7].

Частотные свойства транзистора (инерционность). Время прохождения (пролета) базы инжектированными носителями t a. Зависимость коэффициента передачи тока a от частоты. Барьерная емкость Ск. Граничная частота f a.

Дрейфовый транзистор и его частотные свойства. Наличие электрического поля в базе и его роль. Время пролета t a дрейфового транзистора и влияние электрического поля в базе на это время. Сопоставление частотных свойств (инерционности) дрейфового и бездрейфового транзисторов.

Литература: [1, § 1.3], [2], [6, § 1.7], [4, § 2.7].

5. Полевые транзисторы.

Особенности полевых транзисторов. Управление выходным током при помощи электрического поля. Полевой транзистор с управляющим p - n -переходом (унитрон). Устройство и принцип действия. Режим обеднения. Статические характеристики: стоковые (выходные) и стоково-затворные (передаточные).

МОП-транзисторы. Структура и особенности МОП-транзисторов.

МОП-транзисторы со встроенным каналом n -типа. Устройство и принцип действия. Режимы обогащения и обеднения. Статические характеристики: стоковые и стоково-затворные.

МОП-транзисторы с индуцированным каналом n -типа. Устройство и принцип действия. Режим обеднения. Статические характеристики: стоковые и стоково-затворные.

Параметры полевых транзисторов. Малосигнальная эквивалентная схема.

Литература: [1, § 1.4], [2], [6, гл. 2], [4, § 2.10].

6. Тиристоры.

Общая характеристика тиристоров (структура, назначение, роль). Устройство и принцип действия тиристора. Схема включения тиристора в электрическую цепь. Вольтамперная характеристика (ВАХ). Состояния "включено", "выключено". Эквивалент ключа. Процессы включения и выключения тиристора. Параметры. Разновидности тиристоров.

Литература: [1, § 1.5], [2], [6, гл. 3], [4, §2.9].

7. Интегральные схемы (ИС).

Общие сведения о ИС. Полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС. Аналоговые и цифровые ИС. Степень интеграции – ИС, СИС, БИС, СБИС. Краткие сведения по технологии производства ИС. Групповой метод. Планарно-эпитаксиальный цикл. Фотолитография, электронная литография. Нанотехнологии.

8. Усилители низкой частоты.

Назначение и классификация усилителей. Основные характеристики (параметры) усилителя: коэффициенты усиления, частотные, фазовые и нелинейные искажения, входное и выходное сопротивления.

Литература: [3, гл. 1], [1, § 2.2], [4, § 4.1].

Усилительный каскад является базовым в аналоговой технике как дискретной, так и интегральной. Поэтому эта тема ключевая в электронике. Хорошие знания усилительного каскада – залог успешного изучения всей электроники и микроэлектроники.

Литература: [3, § 2.1, …, 2.3], [1, § 2.2], [4, § 4.3].

Стабильность режима покоя. Дестабилизирующие факторы. Способы стабилизации режима покоя - эмиттерная (основная) и коллекторная. Коэффициент нестабильности и его связь с параметрами схемы. Выбор элементов схемы для обеспечения заданный величины коэффициента нестабильности.

Литература: [3, § 2.4], [1, § 2.2], [4, § 4.3].

Режим каскада по переменному току (режим малого сигнала). Эквивалентная схема каскада для малых сигналов. Параметры усилительного каскада по переменному току (для области средних частот).

Частотная зависимость свойств каскада (частотная характеристика) в области низших частот. Элементы схемы, влияющие на частотную характеристику в области низших частот и выбор этих элементов для обеспечения заданного вида частотной характеристики в области низших частот. Частотная характеристика каскада в области высших частот. Выбор элементов, обеспечивающих заданную частотную характеристику в области высших частот.

Литература: [3, § 2.5], [1, § 2.2], [4, §4.5].

9. Усилители мощности.

Определение. Классы усиления А, В, АВ. Однотактный усилитель мощности класса А. Схема, ее работа. Временные диаграммы. Режим большого сигнала. Графический анализ. Энергетические соотношения в усилителе мощности класса А (мощность в нагрузке Р н, мощность на выходе каскада Р 2, мощность потребления от источника питания Р потр, мощность рассеяния Р расс, к.п.д. каскада h А, коэффициенты использования по току y и напряжению x).

Литература: [3, § 3.1, 3.2], [1, § 2.5], [4, §4.12].

Двухтактный усилитель мощности класса В (АВ). Схема, ее работа. Временные диаграммы. Графический анализ. Энергетические соотношения. Здесь может рассматриваться либо трансформаторный, либо бестрансформаторный усилитель класса В (АВ).

Литература: [3, § 3.4, 3.5], [1, § 2.5], [4, § 4.12, §4.13].

Оценка нелинейных искажений (коэффициента гармоник) в усилителях мощности. Построение сквозной динамической характеристики. Определение коэффициента гармоник методом пяти ординат. Способы уменьшения нелинейных искажений.

Литература: [3, §3.3, 3.4.5, 3.5.5].

10. Обратная связь в усилителях.

Виды обратной связи - паразитная и внешняя, последовательная и параллельная, обратная связь по напряжению и по току, положительная и отрицательная. Влияние отрицательной обратной связи на параметры усилителя. Применение отрицательной обратной связи в усилителях.

Литература: [3, § 2.6], [1, § 2.6], [4, § 4.2].

11. Операционные усилители. Усилители постоянного тока (УПТ).

В современной электронике проблема усиления постоянного тока решается исключительно на базе микроэлектронных дифференциальных (ДУ) и операционных (ОУ) усилителей. Поэтому УПТ рассматриваются только как микроэлектронные ДУ и ОУ. В свою очередь, функции ОУ гораздо шире, чем УПТ. ОУ является базовым элементом для построения любых аналоговых устройств.

Определение УПТ. Межкаскадные связи. Дрейф нуля. Интегральный дифференциальный усилитель (ИС-ДУ) - основа УПТ. Схема ИС ДУ и ее работа. Генератор стабильного тока (ГСТ). Дифференциальный и синфазный сигналы. Отклик (реакция) ДУ на дифференциальный и синфазный сигналы. Балансировка ДУ. Параметры ДУ.

Литература: [3, § 4.1, 4.2, 4.3], [1, § 2.7, 2.8].

Операционный усилитель (ОУ). Схема, ее работа. Характеристики ОУ (передаточная и частотная). Параметры ОУ. Идеальный ОУ. Способы включения ОУ в усилительных схемах – инвертирующее и неинвертирующее. Их параметры. Понятие об устойчивости и коррекции ОУ.

Литература: [3, §4.4, 4.5, 4.6].

 

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 42 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
I. УКАЗАНИЯ К ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ| Y. КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)