Читайте также:
|
Статические ВАХ для схемы с ОЭ отличаются от статических ВАХ в схеме с ОБ и это отличие связано с тем, что в схеме с ОЭ напряжение питания прикладывается к двум переходам: коллекторному и эмиттерному.
, поэтому выходные ВАХ по сравнению со схемой с ОБ сдвигаются вправо на величину 
, которая тем больше, чем больше ток эмиттера. Следовательно, режим насыщения в схеме с ОЭ происходит при отрицательном напряжении 
и выходные ВАХ расположены в первом квадранте координат 
, . Для их построения воспользуется формулой (2.15), заменив 
суммой + 
и опустив индекс N в коэффициенте передачи тока эмиттера. Тогда
.
Преобразуем эту формулу для того, чтобы найти зависимость тока коллектора от входного тока в схеме с ОЭ – тока базы.
.
Разделим на (1 – a), получим
,
или
, (2.16)
где 
– сквозной (тепловой) ток в схеме с ОЭ; 
– дифференциальное сопротивление коллекторного перехода в схеме с ОЭ.
Анализируя формулу (2.16), можно сделать вывод, что тепловой ток в схеме с ОЭ 
значительно больше, чем в схема с ОБ, а следовательно, выходные ВАХ значительно чувствительней к изменению температуры. Дифференциальное сопротивление 
значительно меньше, чем в схеме с ОБ, а следовательно ток коллектора в большей степени зависит от изменения U кэ, а объясняется это тем, что часть напряжения U кэ приложено к эмиттерному переходу, смещая этот переход в прямой полярности.
Внешний вид этих характеристик представлен на рис. 2.37. Все семейство ВАХ на начальном участке практически сливаются в одну линию, которая носит названия линии насыщения. Область, расположенная между линией насыщения и осью I к носит название области насыщения. Активный (усилительный) режим ВАХ расположен правее линии насыщения, в области пологой части выходных характеристик. Поскольку к база-эмиттерному переходу, как и в схеме с ОБ, приложено прямое напряжение, то входная ВАХ в схеме с ОЭ при U кэ = 0 будет иметь такой же внешний вид, как и в схеме с ОБ, однако количественно она сильно отличается, поскольку ток базы в (b + 1) меньше тока эмиттера.
Если U кэ ¹ 0, то входная ВАХ сместиться вниз, т.к. при U бэ = 0 через базу будет протекать обратный ток I ко (рис. 2.38). Графическое изображение входных ВАХ показано на рис. 2.39.
Поскольку схема с ОК в статическом режиме (R э = 0) ничем не отличается от схемы с ОЭ, то и ВАХ такие же, как у схемы с ОЭ.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 55 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Статические характеристики в схеме с ОБ. | | | Схема включение транзистора с ОЭ |