Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Линейные дефекты

Иваново 2011 | Удельная теплоёмкость | Теплопроводность и температуропроводность | Тепловое расширение материалов | Вопрос 2. Влияние температуры на изменение механических свойств материалов | Вопрос 3. Неразрушающие методы исследования механических свойств металлов и сплавов. | Определение твёрдости материалов по методу Бринелля | Определение твёрдости материалов по методу Роквелла | Определение твёрдости материалов по методу Виккерса | Вопрос 1. Компоненты и фазы железоуглеродистых сплавов |


Читайте также:
  1. ВЕКТОРЫ. ЛИНЕЙНЫЕ ОПЕРАЦИИ НАД ВЕКТОРАМИ. РАЗЛОЖЕНИЕ ВЕКТОРОВ
  2. Гарантия - это определенное обязательство компании-производителя в течение указанного периода устранить производственные дефекты.
  3. ДВУХЛИНЕЙНЫЕ СИСТЕМЫ СМАЗКИ
  4. Дефекты в кристаллах
  5. ДЕФЕКТЫ В СВАРНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ И МЕТОДЫ ТЕХНИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ
  6. ДЕФЕКТЫ И БОЛЕЗНИ ХЛЕБА
  7. Дефекты и болезни хлеба.

Основными линейными дефектами являются дислокации.

Дислокации — это линейные дефекты кристаллического строения, представляющие собой линии, вдоль и вблизи которых нарушено характерное для кристалла правильное расположение атомных плоскостей (рис. 2). Для дислокаций характерно наличие лишних атомов, находящихся в междоузлиях.

Различают два вида дислокаций — краевые и винтовые (см. рис. 2).

Краевая дислокация представляет собой местное искажение кристаллической решётки, линию, вдоль которой внутри кристалла обрывается край «лишней» полуплоскости (рис. 2,). Неполная плоскость называется экстраплоскостью (рис. 2 б).

 

Рис. 2. Дислокации: а- краевая; б- экстраплоскость. Рис. 3. Механизм образования винтовой дислокации.

 

Винтовая дислокация образуется при помощи частичного сдвига кристалла по плоскости Q вокруг линии EF (рис. 3) На поверхности кристалла образуется ступенька, проходящая от точки Е до края кристалла. Такой частичный сдвиг нарушает параллельность атомных слоёв, кристалл превращается в одну атомную плоскость, закрученную по винту в виде полого геликоида вокруг линии EF, которая представляет границу, отделяющую часть плоскости скольжения, где сдвиг уже произошёл, от части, где сдвиг не начинался.

Дислокации образуются при термической и химико-термической обработках, в процессе кристаллизации, пластической деформации и других видах воздействия на структуру металлов и сплавов.

 

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 67 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Точечные дефекты| Температура плавления

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)