Порядок виконання роботи

1. Ознайомитись з експериментальною установкою, зокрема з правилами користування цифровим омметром і логометром.

2. Підвищуючи температуру в пробірці від кімнатної до 70°С, записати покази омметра через кожні 5°С.

3. Побудувати графік залежності R = f ₁ (T) і зробити висновок.

4. Побудувати графік залежності ln R = f ₂(1/ T) і, використовуючи його, за формулою (89.7) обчислити енергію активації досліджуваного напівпровідника. При цьому звернути увагу, що температура виражається в кельвінах.

5. Використовуючи формулу (89.8), визначити відносну і абсолютну похибки енергії активації.

6. Результати вимірювань і обчислень занести в таблицю.

7. Зробити висновок.

Таблиця 89.1

№ п.п	T, К	R, Ом	, К^-1	ln R	Δ T, K	Δ R, Ом	А, Дж	Δ А, Дж

КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ

1. Поясніть процес утворення енергетичних зон в твердому тілі.

2. Що таке валентна зона, зона провідності, заборонена зона?

3. Яка різниця між металами, напівпровідниками і діелектриками з точки зору зонної теорії твердого тіла?

4. Поясніть суть електронної і діркової провідності напівпровідників.

5. Чому дірки називають квазічастинками?

6. Поясніть залежність опору напівпровідників від температури.

7. Наведіть приклад практичного використання залежності опору напівпровідників від температури.

8. Виведіть робочу формулу для визначення енергії активації напівпровідника.

9. Як, користуючись експериментальними результатами дослідження температурної залежності опору напівпровідника, визначити його енергію активації?

10. Що таке рівень Фермі і які його особливості?

11. Які напівпровідники є власними і які їх особливості?

12. Де знаходиться рівень Фермі у власному напівпровіднику?

13. Що таке енергія активації напівпровідника?

14. Яким основним фактором визначається електропровідність напівпровідника?

Дата добавления: 2015-11-30