Исследование полупроводникового материала методом эффекта Холла

1. Включите измерительный блок и загрузите приложение стенда.

2. Создайте личную рабочую тетрадь (или откройте созданную Вами ранее).

3. Выберите схему измерений №3 и активизируйте все инструменты.

4. Установить образец №2.

Примечание. Для образцов, имеющих большую ширину запрещенной зоны, определить значение параметров по данной методике не представляется возможным, так как диапазон температур нагрева стенда не позволяет достичь температуры перехода к собственной проводимости.

5. Создать новую или открыть имеющуюся рабочую тетрадь.

6. Включите нагрев (температура должна измеряться в Кельвинах). Наблюдая за изменением температуры, фиксируйте измеренные значения в рабочей тетради с помощью кнопки «Записать» в заданном температурном диапазоне (обычно, от комнатной температуры до 85-90 °С) с интервалом 5-8 °С.

7. Остановите нагрев при заданной температуре (при достижении максимальной температуры нагрев отключается автоматически).

8. На закладке «Формулы» в рабочей тетради задайте новую формулу для расчета постоянной Холла, используя уравнение (7).

9. Рассчитайте концентрацию свободных носителей заряда, используя уравнение (8а) или (8б).

10. Рассчитайте значения и . Температура должна задаваться в Кельвинах.

11. Рассчитайте удельную электропроводность образца по уравнению (14).

12. Рассчитайте подвижность свободных носителей заряда по уравнению (13).

13. Рассчитайте значения и .

14. Создав новый график на закладке «Графики» в рабочей тетради, постройте температурную зависимость концентрации свободных носителей заряда в координатах .

15. Аналогичным образом, постройте графики температурных зависимостей подвижности носителей заряда в координатах и удельной электропроводности исследуемого образца в координатах .

16. Путем графического дифференцирования зависимости или определите ширину запрещенной зоны полупроводника.

Дата добавления: 2015-11-14