Общий принцип построения кривых ВЭЗ

Построение трехслойных кривых графическим методом сводится к весьма несложным и быстрым операциям, осуществляемым в основном с по­мощью палетки «r₂».

Дело в том, что любая теоретическая трехслойная кривая в своей начальной (верхней) части отвечает двухслойному разрезу, а поэтому, сколь скоро заданы параметры разреза, начальная часть строящейся кри­вой может быть снята с палетки «r₂» путём перенесения на бланк двухслойной кривой с соответствующим модулем m=r₂/r₁, причём влия­нием третьего слоя в данном случае пренебрегается в. предположении, что мощность второго слоя бесконечно велика.

Для построения конечной (нижней) части кривой первые два слоя за­меняются одним эквивалентным слоем, чем заданный трехслойный разрез сводится к двухслойному. Это обстоятельство позволяет снова обратиться к палетке «r₂» и снять с неё кривую с модулем m₂=r₂/r₁, где r¢₂=r₃ и r₁=r_1,2=r_экв.

Последней операцией, позволяющей получить полную кривую с задан­ными параметрами разреза, является построение промежуточной части кри­вой, заключающееся в соединении ветвей (начальной и конечной), нанесен­ных на бланк кривой, что производится с помощью альбома теоретических трехслойных кривых, о чем с необходимой и достаточной полнотой гово­рится ниже. Иногда, при не особенно строгом построении, соединение осуществляют от руки. Однако, соединение от руки менее точно, так как здесь всегда имеет место некоторый произвол. Особенно большая погреш­ность получается в тех случаях, когда верхняя и нижняя ветви искомой кривой встречаются под острым углом.

Построение четырехслойных кривых в значительной степени повторяет методу построения трехслойных кривых ВЭЗ.

Первоначально: пренебрегая параметрами 4 слоя, и полагая h₄=¥, строят трехслойную кривую, которая и является верхней ветвью искомой кривой. Если параметры первого, второго и третьего слоев исковой кри­вой отвечают параметрам палеточных кривых, то такая трехслойная кривая может быть непосредственно взята из альбома теоретических кривых ВЭЗ.

Для построения нижней ветви искомой кривой первые два слоя заменяются одним эквивалентным слоем, в силу чего заданный разрез четырехслойный разрез снова сводится к трехслойному с параметрами:

r₁=r_экв=r_1,2; r₂=r₃; r₃=r₄;

h¢₁=h_экв=h_1,2; h¢₂=h₃; h¢₃=h₄.

Это обстоятельство позволяет при построении нижней трехслойной кривой использовать ту же самую методику, что и для верхней трехслойной кри­вой.

Приёмы графического построения многослойных кривых по существу ничем не отличаются от приемов построения трех- и четырехслойных кри­вых. Так, например, при пятислойном разрезе, после того как будет построена четырехслойная кривая, соответствующая первым четырем слоям разреза, необходимо слой, эквивалентный первым двум слоям, и третий слой заменить новым эквивалентным слоем по правилу соответствующей точки. Тогда пятислойный разрез сведется к трехслойному, в котором вторым слоем будет четвертый слой заданного разреза и третьим слоем – пятый слой разреза. Эта замена позволит нанести трехслойную кривую и т.д.

В настоящем руководстве детально рассматривается построение трех­слойных кривых всех четырех типов и четырехслойных кривых из восьми только четырех типов: (НК, ОН, КН и АK). Что же касается построения кривых типов НА, КО, ОО, АА, то оно без особого труда может быть вы­полнено по аналогии с построением вышеуказанных четырехслойных кривых, так как принципы построения остаются неизменными; меняется лишь палеточный материал.

Дата добавления: 2015-07-11