Дніпропетровський національний університет імені олеся гончара

Форма №3

	Структура біполярного транзистора полягає в наступному:	а	б	в	г	б
а) Послідовне включення двох p-n-переходів в одному напрямку.
б) Послідовне включення двох p-n-переходів у зворотному напрямку
в) Послідовне включення трьох p-n-переходів в одному напрямку
г) Послідовне включення трьох p-n-переходів у зворотному напрямку
	Які основні носії заряду у транзисторів зі структурою n-p-n?	а	б	в	г	г
а) Іони
б) Дислокації
в) Дірки
г) Електрони
	Які основні носії заряду у транзисторів зі структурою p-n-p?	а	б	в	г	в
а) Іони
б) Дислокації
в) Дірки
г) Електрони
	Які параметри біполярного транзистора характеризують його підсилювальні властивості?	а	б	в	г	а
а)a, b
б) UКЭМАКС
в) PМАКС
г) IКМАКС
	Коефіціент передачі біполярного транзистора a характеризує:	а	б	в	г	б
а) Підсилення базового струму.
б) Передачу струму від емітера до колектора.
в) Підсилення колекторного струму.
г) Підсилення змінного колекторного струму.
	Коефіціент передачі біполярного транзистора b характеризує:	а	б	в	г	а
а) Підсилення базового струму.
б) Передачу струму від емітера до колектора.
в) Підсилення колекторного струму
г) Підсилення змінного колекторного струму.
	Параметр UКЭМАКС біполярного транзистора визначає:	а	б	в	г	г
а) Підсилення базового струму.
б) Передачу струму від емітера до колектора.
в) Підсилення колекторного струму.
г) Максимальну напругу живлення, яку можна подавати на транзистор.
	Коефіціент передачі біполярного транзистора a визначається, як:	а	б	в	г	в
а)DIБ/DIЭ
б)DIК/DIБ
в)DIК/DIЭ
г) DIЭ/DIК
	Коефіціент передачі біполярного транзистора b визначається, як:	а	б	в	г	б
а)DIБ/DIЭ
б)DIК/DIБ
в)DIК/DIЭ
г) DIЭ/DIК
	В підсилювальному режимі роботи біполярного транзистора (див. малюнок) емітерний та колекторний p-n переходи повинні бути зміщені:	а	б	в	г	а
а) Емітерний – в прямому напрямку, колекторний – в зворотному.
б) Емітерний – в прямому напрямку, колекторний – в прямому.
в) Емітерний – в зворотному напрямку, колекторний – в прямому.
г) Емітерний – в зворотному напрямку, колекторний – в зворотному.
	Яка максимальна температура для германієвого біполярного транзистора?	а	б	в	г	г
а)80°С
б)90°С
в)100°С
г) 110°С
	Яка максимальна температура для кремнієвого біполярного транзистора?	а	б	в	г	г
а)80°С
б)90°С
в)100°С
г) 110°С
	Схема включення біполярного транзистора з загальним емітером (див. малюнок) використовується для:	а	б	в	г	б
а) Підсилення сигналу за струмом
б) Підсилення сигналу за напругою.
в) Підсилення сигналу за потужністю.
г) Стабілізації вихідного сигналу.
	Схема включення біполярного транзистора з загальним колектором (див. малюнок) використовується для :	а	б	в	г	в
а) Стабілізації вхідного сигналу.
б) Підсилення сигналу за напругою.
в) Підсилення сигналу за струмом та потужністю.
г) Стабілізації вихідного сигналу.
	Режим А біполярного транзистора (див. малюнок) використовується для	а	б	в	г	а
а) Підсилення вхідної напруги з мінімальними нелінійними похибками.
б) Підсилення вхідного струму.
в) Підсилення потужності вхідного сигналу.
г) Підсилення сигналу однієї полярності
	Яким чином встановлюється положення робочої точки транзистора?	а	б	в	г	а
а) Шляхом подачі початкового зміщення на базу транзистора.
б) Шляхом встановлення колекторної напруги.
в) Шляхом завдання колекторного струму.
г) Шляхом подачі напруги на емітер транзистора.
	Переваги режиму А роботи біполярного транзистора у порівнянні з другими режимами:	а	б	в	г	г
а) Забезпечує максимальний коефіцієнт підсилення за напругою.
б) Забезпечує максимальний коефіцієнт підсилення за струмом.
в) Забезпечує максимальний коефіцієнт корисної дії.
г)) Забезпечує мінімальний рівень нелінійних похибок.
	Недоліки режиму А роботи біполярного транзистора у порівнянні з другими режимами:	а	б	в	г	в
а) Має мінімальний коефіцієнт підсилення за напругою.
б) Має мінімальний коефіцієнт підсилення за струмом.
в) Має мінімальний коефіцієнт корисної дії.
г) Має високий рівень нелінійних похибок.
	Режим В біполярного транзистора (див. малюнок) використовується для	а	б	в	г	г
а) Підсилення вхідної напруги з мінімальними нелінійними похибками.
б) Підсилення вхідного струму
в) Підсилення потужності вхідного сигналу.
г) Підсилення сигналу однієї полярності.
	Переваги режиму B роботи біполярного транзистора у порівнянні з другими режимами:	а	б	в	г	в
а) Забезпечує максимальний коефіцієнт підсилення за напругою.
б) Забезпечує максимальний коефіцієнт підсилення за струмом.
в) Забезпечує максимальний коефіцієнт корисної дії.
г) Забезпечує мінімальний рівень нелінійних похибок.
	Недоліки режиму B роботи біполярного транзистора у порівнянні з другими режимами:	а	б	в	г	г
а) Має мінімальний коефіцієнт підсилення за напругою.
б) Має мінімальний коефіцієнт підсилення за струмом.
в) Має мінімальний коефіцієнт корисної дії
г) Має високий рівень нелінійних похибок
	Режим АВ біполярного транзистора (див. малюнок) використовується	а	б	в	г	г
а) Підсилення вхідної напруги з мінімальними нелінійними похибками.
б) Підсилення вхідного струму.
в) Підсилення потужності вхідного сигналу.
г) Підсилення сигналу однієї полярності з мінімальними нелінійними похибками.
	Переваги режиму B роботи біполярного транзистора у порівнянні з другими режимами:	а	б	в	г	в
а) Забезпечує максимальний коефіцієнт підсилення за напругою.
б) Забезпечує максимальний коефіцієнт підсилення за струмом.
в) Забезпечує мінімальний рівень нелінійних похибок при підсилюванні однополярного сигналу.
г) Забезпечує максимальний коефіцієнт корисної дії.
	Положення робочої точки А, В або АВ біполярного транзистора встановлюється шляхом:	а	б	в	г	а
а) Подачі початкового зміщення на базу транзистора відносно емітера.
б) Встановлення відповідного рівня колекторної напруги.
в) Завдання відповідного рівня колекторного струму.
г) Подачі відповідної напруги на емітер транзистора
	Резистори RБ’, RБ’’ (див. схему) використовуються для :	а	б	в	г	б
а) Зменшення рівня вхідного сигналу.
б) Подачі початкового зміщення на базу транзистора відносно емітера.
в) Стабілізації базового струму.
г) Стабілізації колекторного струму.
	Напруга зміщення, яка завдає режим роботи транзистора (див. схему) визначається як:	а	б	в	г	а
а)
б)
в)
г)
	Резистор RБ (див. схему) використовується для:	а	б	в	г	в
а) Подачі живлення на базу транзистора.
б) Розряду конденсатора СР1
в) Подачі базового струму для завдання положення робочої точки.
г) Стабілізації колекторного струму.
	Базовий струм, який завдає режим роботи транзистора (див. схему) визначається як :	а	б	в	г	б
а)
б)
в)
г)
	Резистор RЭ (див. схему) використовується для :	а	б	в	г	г
а) Завдання струму емітера транзистора.
б) Розряду конденсатора СЭ.
в) Підвищення коефіцієнту підсилення транзистора.
г) Стабілізації робочої точки транзистора шляхом введення негативного зворотного зв’язку за струмом.
	При введенні резистору RЭ (див. схему) напруга UБЭ визначається, як:	а	б	в	г	а
а)
б)
в)
г)
	Комплементарна пара транзисторів, це	а	б	в	г	г
а) Транзисторі різної потужності.
б) Послідовно включені транзистори.
в) Паралельно включені транзистори.
г) Транзистори з протилежними типами провідності.
	При введенні резистору RБ (див. схему) струм IБ, який визначає положення робочої точки транзистора, визначається, як:	а	б	в	г	б
а)
б)
в)
г)
	Введення резистору RБ (див. схему) забезпечує:	а	б	в	г	в
а) Підвищення коефіцієнту підсилення транзистора.
б) Захист транзистора від перенапруження.
в) Стабілізацію положення робочої точки за рахунок введення негативного зворотного зв’язку за напругою.
г) Покращання шумових властивостей транзистора.
	Галузі використання комплементарної пари транзисторів:	а	б	в	г	в
а) Підсилення сигналів за напругою.
б) Підсилення сигналів за струмом.
в) Двотактні підсилювачі потужності.
г) Побудова генераторів сигналів.
	На схемі представлено	а	б	в	г	г
а) Підсилювач постійного струму.
б) Підсилювач постійної напруги.
в) Операційний підсилювач.
г) Двотактний підсилювач потужності.
	Диференційний підсилювальний каскад, наведений на малюнку, входить до складу:	а	б	в	г	а
а) Операційного підсилювача.
б) Аналогового інтегратора.
в) Аналогового диференціатора.
г) Аналогового компаратора.
	Складний транзистор це:	а	б	в	г	а
а) Послідовне включення двох транзисторів, у яких емітер першого підключено до бази другого.
б) Паралельне підключення двох транзисторів.
в) Транзистори з різним типом провідності.
г) Послідовне включення двох транзисторів, у яких колектор першого підключено до бази другого.
	Галузь використання складного транзистора:	а	б	в	г	б
а) Підвищення коефіцієнту підсилення за напругою.
б) Підвищення коефіцієнту підсилення за струмом.
в) Підвищення коефіцієнту підсилення за потужністю.
г) Підвищення стабільності роботи.
	Коефіцієнт підсилення струму складного транзистора:	а	б	в	г	г
а)bS = b1 + b2
б)bS = b1 - b2
в)bS = b1 / b2
г) bS = b1 × b2
	В якому режимі працюють транзистори схеми, яку наведено на малюнку?	а	б	в	г	б
а) A
б) B
в) AB
г) C
	Диференційний підсилювач, схема якого наведено, використовується для підсилення :	а	б	в	г	в
а) Постійної напруги.
б) Постійного струму.
в) Диференційного вхідного сигналу.
г) Синфазного вхідного сигналу.
	Які збурення вносить до сигналу схема підсилювача, яку наведено на малюнку?	а	б	в	г	а
а) Типу «ступінька».
б) Обмеження вихідного сигналу за амплітудою.
в) Шумоподібні збурення.
г) Повільний дрейф амплітуди вихідного сигналу.
	Яким чином реалізовано стабілізацію робочої точки транзистора в схемі, яку наведено на малюнку?	а	б	в	г	б
а) Введенням негативного зворотного за напругою.
б) Введенням негативного зворотного за струмом.
в) Використанням стабільного джерела живлення.
г) Стабілізація не здійснюється.
	Яким чином реалізовано стабілізацію робочої точки транзистора в схемі, яку наведено на малюнку?	а	б	в	г	в
а) Використанням стабільного джерела живлення.
б) Введенням негативного зворотного за струмом.
в) Введенням негативного зворотного за напругою.
г) Стабілізація положення робочої точки не здійснюється.
	З підвищенням температури навколишнього середовища коефіцієнт підсилення біполярного транзистора b:	а	б	в	г	а
а) Підвищується.
б) Зменшується.
в) Не змінюється.
г) Збільшується до теплового пробою.
	Який режим роботи біполярного транзистора забезпечує максимальний коефіцієнт корисної дії?	а	б	в	г	б
а) A
б) B
в) AB
г) C
	Структура операційного підсилювача складається з каскадів:	а	б	в	г	а
а) Диференційний каскад, підсилювач напруги, підсилювач потужності.
б) Диференційний каскад, підсилювач напруги.
в) Диференційний каскад, підсилювач потужності.
г) Диференційний каскад.
	Який набір параметрів операційного підсилювача є вірним:	а	б	в	г	в
а) , , , .
б) , , , .
в) , , , .
г) , , , .
	На малюнку наведено:	а	б	в	г	б
а)Неінвертуючу схему включення операційного підсилювача
б) Інвертуючу схему включення операційного підсилювача.
в) Схему аналогового інтегратора.
г) Схему аналогового диференціатора.
	Коефіцієнт підсилення інвертуючої схеми включення операційного підсилювача, наведеної на малюнку, дорівнює:	а	б	в	г	в
а)
б)
в)
г)

Дата добавления: 2015-07-11