Читайте также:
|
Форма №1
| До якої групи таблиці Менделєєва відносяться напівпровідники? | а | б | в | г | в | ||||||
| а) другої | б) третьої | в) четвертої | г) п’ятої | ||||||||
| Які з перелічених речовин є напівпровідником? | а | б | в | г | а | ||||||
| а) германій | б) фосфор | в) цезій | г) бор | ||||||||
| Яка температура теплового пробою германія? | а | б | в | г | в | ||||||
| а) 70°С | б) 80°С | в) 90°С | г) 100°С | ||||||||
| Які з перелічених речовин є напівпровідником? | а | б | в | г | б | ||||||
| а) фосфор | б) кремінь | в) цезій | г) бор | ||||||||
| Яка температура теплового пробою кременю? | а | б | в | г | г | ||||||
| а) 80°С | б) 90°С | в) 100°С | г) 110°С | ||||||||
| Донорні приміси збільшують концентрацію в напівпровіднику: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) електронів | б) іонів | в) дірок | г) дислокацій | ||||||||
| Акцепторні приміси збільшують концентрацію в напівпровіднику: | а | б | в | г | в | ||||||
| а) електронів | б) іонів | в) дірок | г) дислокацій | ||||||||
| Напівпровідник з провідністю n-типу має надлишок: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) електронів | б) іонів | в) дірок | г) дислокацій | ||||||||
| Напівпровідник з провідністю p-типу має надлишок: | а | б | в | г | в | ||||||
| а) електронів | б) іонів | в) дірок | г) дислокацій | ||||||||
| Основу напівпровідникового діода складає: | а | б | в | г | б | ||||||
| а) германій | б) pn-перехід | в) кремінь | г) фосфор | ||||||||
| Пряма ділянка вольт-амперної характеристики діода характеризується параметрами: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) ІПР, UПР | б) ІПР | в) UПР | г) ІПР MAX | ||||||||
| Який параметр характеризує виникнення електричного пробою pn-переходу? | а | б | в | г | в | ||||||
| а) ІЗВОР | б) UЗВОР | в) ІЗВОР MAX | г) ІПР MAX | ||||||||
| Чим визначається рівень зворотнього струму діода? | а | б | в | г | г | ||||||
| а) Рівнем зворотної напруги | б) Температурою навколишнього середовища | в) Концентрацією основних носіїв заряду | г) Концентрацією неосновних носіїв заряду | ||||||||
| При послідовному підключенні діодів в одному напрямку рівень прямого падіння напруги на них: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) Дорівнює сумі падіння напруг на кожному | б) Дорівнює різниці падіння напруг на кожному | в) Не змінюється | г) Компенсується | ||||||||
| При послідовному підключенні діодів в одному напрямку рівень максимальної зворотної напруги на них: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) Дорівнює сумі максимальної зворотної напруги на кожному | б) Дорівнює різниці максимальної зворотної напруги на кожному | в) Не змінюється | г) Компенсується | ||||||||
| Основні параметри, які характеризують властивості стабілітрона: | а | б | в | г | б | ||||||
| а) ІПР | б) UСТАБ, ІСТАБ | в) UПР | г) ІПР MAX | ||||||||
| При послідовному підключенні стабілітронів в одному напрямку рівень напруги стабілізації на них: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) Дорівнює сумі напруг стабілізації на кожному | б) Дорівнює різниці напруг стабілізації на кожному | в) Не змінюється | г) Компенсується | ||||||||
Чим відрізняється вихідна напруга схеми, яку наведено на малюнку, від напруги на вторинній обмотці трансформатора?
| а | б | в | г | г | ||||||
| а) UВЫХ = UII (UII – напруга на вторинній обмотці трансформатора). | б) UВЫХ = 2UII. | в) UВЫХ = 1/2UII. | г) UВЫХ = UII – UПР (UПР – пряме падіння напруги на діоді VD1). | ||||||||
Яка схема забезпечує перетворення змінної напруги в напругу, графік якої наведено на малюнку:
| а | б | в | г | а | ||||||
| а) Однопівперіодна схема випрямлення. | б) Двопівперіодна схема випрямлення | в) Мостова схема випрямлення | г) Однопівперіодна схема випрямлення з вихідним фільтром. | ||||||||
Чому дорівнює вихідна напруга схеми, яка наведена на малюнку, від напруги на вторинній обмотці трансформатора?
| а | б | в | г | г | ||||||
| а) UВЫХ = UII (UII – напруга на одній половині вторинної обмотки трансформатора). | б) UВЫХ = 2UII. | в) UВЫХ = 1/2UII. | г) UВЫХ = UII – UПР (UПР – пряме падіння напруги на діоді VD1 або VD2). | ||||||||
Яка схема забезпечує перетворення змінної напруги в напругу, графік якої наведено на малюнку:
| а | б | в | г | б | ||||||
| а) Однопівперіодна схема випрямлення | б) Двопівперіодна та мостова схеми випрямлення. | в) Тільки мостова схема випрямлення. | г) Двопівперіодна схема випрямлення з вихідним фільтром. | ||||||||
Чому дорівнює вихідна напруга схеми, яку наведено на малюнку, від напруги на вторинній обмотці трансформатора?
| а | б | в | г | в | ||||||
| а) UВЫХ = UII (UII – напруга на вторинній обмотці трансформа-тора) | б) UВЫХ = 2UII. | в) UВЫХ = UII – 2UПР (2UПР – пряме падіння напруги на діодах VD1, VD4 або VD2, VD3). | г) UВЫХ = UII – UПР | ||||||||
| Якими параметрами характеризується напівпровідниковий діод, включений в прямому напрямку? | а | б | в | г | а | ||||||
| а) UПР, IПР. | б) UОБР, IОБР. | в) UПР, IОБР. | г) UОБР, IПР. | ||||||||
| Якими параметрами характеризується напівпровідниковий діод, включений у зворотному напрямку? | а | б | в | г | б | ||||||
| а) UПР, IПР. | б) UОБР MAX, IОБР. | в) UПР, IОБР. | г) UОБР, IПР. | ||||||||
Визначити опір резистора R0 стабілізатора напруги, якщо UВХ = 15 В, UВЫХ = 12 В, IСТ MAX = 25 мА, IСТ MIN = 5 мА.
| а | б | в | г | а | ||||||
| а) 120 Ом. | б) 140 Ом. | в) 160 Ом. | г) 200 Ом. | ||||||||
| Визначити опір резистора R0 стабілізатора напруги, якщо UВХ = 12 В, UВЫХ = 9 В, IСТ MAX = 20 мА, IСТ MIN = 5 мА.
| а | б | в | г | б | ||||||
| а) 100 Ом. | б) 150 Ом. | в) 200 Ом. | г) 250 Ом. | ||||||||
| Визначити опір резистора R0 стабілізатора напруги, якщо UВХ = 12 В, UВЫХ = 6 В, IСТ MAX = 20 мА, IСТ MIN = 5 мА.
| а | б | в | г | в | ||||||
| а) 100 Ом. | б) 200 Ом. | в) 300 Ом. | г) 400 Ом. | ||||||||
Визначити опір резистора R0 стабілізатора напруги, якщо UВХ = 9 В, UВЫХ = 5 В, IСТ MAX = 20 мА, IСТ MIN = 5 мА.
| а | б | в | г | г | ||||||
| а) 100 Ом. | б) 120 Ом. | в) 160 Ом. | г) 200 Ом. | ||||||||
| Для підвищення температурної стабільності напівпровідникового стабілітрона використовується: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) Послідовно зі стабілітроном включений діод в прямому напрямку | б) Послідовно зі стабілітроном включений діод в зворотному напрямку | в) Паралельно включений стабілітрон | г) Паралельно включений стабістор | ||||||||
| Температурна стабільність стабілітрона характеризується: | а | б | в | г | в | ||||||
| а) Напругою стабілізації | б) Струмом стабілізації | в) Температурним коефіцієнтом | г) Прямим струмом | ||||||||
| Якими параметрами характеризується напівпровідниковий стабістор? | а | б | в | г | а | ||||||
| а) UПР, IПР. | б) UОБР, IОБР. | в) UПР, IОБР. | г) UОБР, IПР. | ||||||||
| Чому при збільшенні зворотної напруги на діоді величина зворотного струму практично не змінюється? | а | б | в | г | б | ||||||
| а) Потенціальний бар'єр підвищується | б) Концентрація неосновних носіїв заряду не змінюється | в) Концентрація основних носіїв заряду не змінюється | г) Концентрація неосновних зарядів підвищується | ||||||||
| В яких умовах настає тепловий пробій pn-переходу напівпровідникового приладу? | а | б | в | г | в | ||||||
| а) Зворотня напруга перевищую максимально допустиму | б) Зворотній струм перевищує максимально допустиме значення | в) Теплова потужність, яка виділяється приладом, перевищує максимально можливу | г) Концентрація основних носіїв зарядів підвищується | ||||||||
| Відмінність електричного пробою у напівпровіднику від теплового: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) Має зворотній характер | б) Має незворотній характер | в) Потужність не може перевищувати максимальне допустиме значення | г) Потужність може перевищувати максимальне допустиме значення | ||||||||
Чому дорівнює диференційний опір стабілітрона, який має параметри: UСТ = 12 В, DUСТ = 0,050 В, IСТ MAX = 25 мА, IСТ MIN = 5 мА:
| а | б | в | г | б | ||||||
| а) 1,50 Ом. | б) 2,50 Ом. | в) 5,0 Ом. | г) 10,0 Ом. | ||||||||
| Чому дорівнює диференційний опір стабілітрона, який має параметри: UСТ = 15 В, DUСТ = 0,060 В, IСТ MAX = 35 мА, IСТ MIN = 5 мА:
| а | б | в | г | г | ||||||
| а) 4,50 Ом. | б) 3,50 Ом. | в) 3,0 Ом. | г) 2,0 Ом. | ||||||||
| Для підвищення температурної стабільності стабілітрона можна використовувати: | а | б | в | г | г | ||||||
| а) Послідовне включення двох стабілітронів з однаковими температурними коефіцієнтами. | б) Паралельне включення двох стабілітронів з протилежними температурними коефіцієнтами. | в) Послідовне зі стабілітроном включення діоду в одному напрямку з протилежним температурним коефіцієнтом. | г) Послідовне зі стабілітроном включення діоду в зворотному напрямку з протилежним температурним коефіцієнтом. | ||||||||
Залежність ємкості від зворотної напруги, яка наведена на малюнку, характеризує роботу:
| а | б | в | г | в | ||||||
| а) Стабілітрона. | б) Тунельного діода | в) Варикапа. | г) Світлодіода | ||||||||
| Галузь використання варикапів: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) Зміна настройки коливальних контурів за допомогою управляючої напруги. | б) Побудова релаксаційних генераторів. | в) Фільтрація завад. | г) Стабілізація напруги. | ||||||||
Вольт-амперна характеристика, наведена на малюнку, характеризує роботу:
| а | б | в | г | б | ||||||
| а) Стабілітрона | б) Тунельного діода | в) Варикапа | г) Світлодіода | ||||||||
| Галузь використання тунельних діодів: | а | б | в | г | б | ||||||
| а) Підсилення електричних сигналів. | б) Побудова релаксаційних генераторів. | в) Фільтрація завад | г) Стабілізація напруги. | ||||||||
Стабілітрон, умовна позначка якого наведена на малюнку, використовується для:
| а | б | в | г | г | ||||||
| а) Стабілізації змінної напруги. | б) Стабілізації змінного струму. | в) Температурної стабілізації напруги. | г) Стабілізації напруги двох полярностей. | ||||||||
| При використанні температурної стабілізації стабілітрона з напругою стабілізації UСТАБ шляхом послідовного підключення діоду з протилежним температурним коефіцієнтом, еквівалентне значення напруги стабілізації становить: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) UЕКВ = UСТАБ + UПР (UПР – пряме падіння напруги діода). | б) UЕКВ = 2UСТАБ . | в) UЕКВ = UСТАБ - UПР. | г) | ||||||||
Переваги мостової схеми випрямлення (1) перед двопівперіодною (2) в тому, що така схема має
| а | б | в | г | в | ||||||
| а) Більш високу стабільність вихідної напруги. | б) Менший рівень пульсацій вихідної напруги. | в) Більш раціональне використання вторинної обмотки трансформатора | г) Більш високу температурну стабільність. | ||||||||
| Світовий потік світлодіода: | а | б | в | г | б | ||||||
| а) Пропорційний приложеній до світлодіода напрузі | б) Пропорційний прямому струму, який протікає через світлодіод | в) Обернено пропорційний прямому струму, який протікає через світлодіод | г) Не залежить від прямого струму, який протікає через світлодіод | ||||||||
| Для підсилення сигналу, пропорційного світловому потоку, який падає на фотодіод необхідно використовувати: | а | б | в | г | а | ||||||
| а) Підсилювач струму фотодіода | б) Підсилювач напруги, яка падає на фотодіод | в) Підсилювач звукової частоти сигналу | г) Параметричний підсилювач | ||||||||
| а | б | в | г | ||||||||
| а) | б) | в) | г) | ||||||||
| а | б | в | г | ||||||||
| а) | б) | в) | г) | ||||||||
| а | б | в | г | ||||||||
| а) | б) | в) | г) | ||||||||
| а | б | в | г | ||||||||
| а) | б) | в) | г) | ||||||||
Дата добавления: 2015-07-11; просмотров: 62 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Варіант 11 | | | ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ОЛЕСЯ ГОНЧАРА |
