Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1N5201.

3.1 Для снятия вольтамперной характеристики этого диода установите перемычку J1 в положение 4.

3.2 Снимите прямую ветвь вольтамперной характеристики.

3.2.1 Для этого установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К3 в положение «мА».

3.2.2 Установите тумблер K1 в положение «U_R». Потенциометром R1 установите напряжение 10 В, что соответствует току, протекающему через диод 10 мА. Значение напряжения в [В] будет полностью соответствовать значению тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R2 в этом случае равно 1 кОм. Переключите тумблер K1 в положение «U». При этом тестер покажет прямое падение напряжения на диоде. Полученные результаты занесите в таблицу 2.1.

3.2.3 Повторите п.3.2.2 для значений токов I[мА]=U_R[В], указанных в таблице 2.1.

3.3 Снимите обратную ветвь вольтамперной характеристики.

3.3.1 Для этого установите тумблер К4 в положение «−», тумблер К3 в положение «мА».

3.3.2 Установите тумблер K1 в положение «U_R». Потенциометром R1 установите напряжение 0,05 В, что соответствует току, протекающему через диод 0,05 мА. Значение напряжения в [В] будет полностью соответствовать значению тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R2 в этом случае равно 1 кОм. Переключите тумблер K1 в положение «U». При этом тестер покажет обратное падение напряжения на диоде. Полученные результаты занесите в таблицу 2.1.

3.3.3 Повторите п.3.3.2 для значений токов I[мА]=U_R[В], указанных в таблице 2.1.

3.4 Постройте вольтамперную характеристику стабилитрона 1N5201. По ней определите минимальное напряжение стабилизации U_СТмин, максимальное напряжение стабилизации U_СТмах, минимальный I_{СТ мин} и максимальный I_{СТ мах} токи стабилизации, считая, что номинальное напряжение стабилизации этого стабилитрона равно 3,3 В, а отклонение напряжения стабилизации не должно превышать ±5 %. При определении указанных параметров воспользуйтесь пояснениями к рис. 2.8. Рассчитайте дифференциальное сопротивление стабилитрона r_Диф при обратном смещении используя выражение (2.12).

4. Сделайте выводы по работе, сравнив сопоставимые параметры исследуемых диодов. Опишите области применения исследуемых диодов.

При определении параметров диодов, воспользуйтесь пояснениями к рис.2.3 и 2.8. В таблице 2.2 приведены основные параметры исследуемых диодов.

Таблица 2.2 – Параметры исследуемых диодов

Тип диода	Материал	Применение	UПр, В	UОбр max, В	IОбр, мкА	IПр max , мА	UCT, В	ΔUCT, %	IСТ max , мА	IСТ min , мА	rДиф, Ом
ГД508А	Ge	Импульсный	0,6		3-20		-	-	-	-	-
1N4148	Si	Универсальный	1,0		0,025		-	-	-	-	-
SB1100	Si	Диод Шотки	0,4		0,5-2		-	-	-	-	-
1N5201	Si	Стабилитрон	-	-	-		3,3	±5
REF 1004-2.5	Si	Опорный стабилитрон	-	-	-		2,5	±0,05		0,1	0,02

Контрольные вопросы

1. Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в термодинамическом равновесии.

2. Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в прямом смещении.

3. Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в обратном смещении.

4. Приведите ВАХ р-п перехода и укажите на ней основные параметры перехода.

5. Приведите классификацию диодов и области их применения.

6. Приведете систему условных обозначений диодов, а также их условно-графические обозначения.

7. Приведите основные параметры выпрямительных диодов.

8. Приведите основные параметры импульсных диодов. Укажите их особенности.

9. Приведите основные параметры стабилитронов. Укажите основные методы стабилизации напряжения с помощью диодов.

10. Приведите основные особенности диодов Шотки.

Дата добавления: 2015-08-13