Указания к составлению отчета

5.1 Указать номер варианта, для которого проводились исследования.

5.2 Привести схемы исследуемых функциональных узлов, таблицы с результатами измерений и осциллограммы напряжений, в соответствии с заданием каждого пункта работы.

5.3 Привести сравнение результатов экспериментальных исследований с расчетными.

5.4 Сделать выводы по каждому пункту работы.

Приложение А

Таблица А.1- Параметры ОУ.

Вариант
Тип ОУ	К140 УД2	К140 УД6	К140 УД7	К140 УД8	К140 УД9	К153 УД1	К153 УД2	К153 УД3
КU, тыс
RВХ, Ом	0,3		0,4		0,3	0,2	0,3	0,4
RВЫХ, м
f1, МГц			0,8

Вариант
Тип ОУ	К153 УД4	К153 УД5	К153 УД6	К544 УД1	К551 УД2	К553 УД1	К553 УД2	К553 УД3
КU, тыс
RВХ, Ом	0,2		0,3		0,5	0,5	0,3	0,3
RВЫХ, м
f1, МГц	0,7	0,3	0,7		0,8

Лабораторная работа № 7

Исследование работы биполярного транзистора в режиме ключа

Цель работы

Исследовать работу биполярного транзистора в режиме электронного ключа и переходные процессы при переключении.

Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса.

2.1.1 Схемы и принцип действия транзисторных ключей на БТ.

2.1.2 Особенности работы биполярного транзистора в ключевом режиме.

2.1.3 Стационарное состояние транзисторного ключа (разомкнутое и замкнутое) и соответствующие им режимы работы БТ.

2.1.4 Переходные процессы в БТ при переключении. Параметры переключения.

2.1.5 Переходные процессы при работе ключа на реактивную нагрузку.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Дать определение режимов работы БТ: активного, отсечки, насыщения и инверсного.

2.2.2 Нарисовать схемы электронных ключей на БТ (варианты: с ОБ, ОЭ, транзисторы p-n-p и n-p-n) и пояснить их работу.

2.2.3 Что такое степень или глубина насыщения в БТ?

2.2.4 Что такое остаточное напряжение и от чего зависит его величина?

2.2.5 Привести характеристики передачи электронных ключей на БТ, объяснить их вид.

2.2.6 Какие физические процессы определяют время включения и выключения электронного ключа на БТ?

2.2.7 Нарисовать распределение концентрации неосновных неравновес- ных носителей в базе БТ на различных стадиях процесса переключения.

2.2.8 Как зависит время включения и время выключения от глубины насыщения в БТ и запирающего напряжения?

2.2.9 Как влияют емкость и индуктивность нагрузки на переключение БТ?

2.2.10 Как улучшить быстродействие электронных ключей на БТ?

Литература

1 Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 82-86.

2 Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр. 118-125.

3 Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 191-197, 231-233.

4 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с. 282-303.

5 Савиных В.Л. Конспект лекций. Электронная версия. СибГУТИ. 2009

Дата добавления: 2015-08-09