Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода

Вольтамперная характеристика представляет собой график зависимости тока во внешней цепи p-n перехода от значения и полярности напряжения, прикладываемого к нему.

Уравнения для плотности электронной и дырочной составляющих прямого тока получаются в следующем виде:

; .

Плотность прямого тока, проходящего через p-n переход, можно определить как сумму j_пр = j_{n диф} + j_{p диф}, не изменяющуюся при изменении координаты х. Если счи­тать, что в запирающем слое отсутствуют генерация и ре­комбинация носителей зарядов, то плотность прямого тока, определяемая на границах p-n перехода (при x = 0),

.

Включение p-n перехода в обратном направлении при­водит к обеднению приконтактной области неосновными носителями и появлению градиента их концентрации. Гра­диент концентрации является причиной возникновения диффузионного тока неосновных носителей.

Выражение для расчета плотности обратного тока может быть записано в виде

.

Можно записать уравнение для плотности тока в общем виде:

, где .

j_s называют плотностью тока насыщения. Уравнение теоретической вольтамперной характеристики:

,

где I_S- ток насыщения. В это уравнение напряжение U подставляется со знаком "плюс" при включении p-n перехода в прямом направлении и со знаком "минус" при об­ратном включении.

Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода, построенная на основании уравнения при­ведена на рис. При увеличении

Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода.

обратного напряже­ния ток через p-n переход стремится к предельному зна­чению j_s, которого достигает при обратном напряжении примерно 0,1...0,2 В.

Считая, что все атомы примесей ионизированы, т. е. = N_a, для области рабочих температур можно записать:

,

где d₀ - толщина запирающего слоя.

Для германия n_i = 2,5×10¹³ см^-3 (DW = 0,67 эВ) и I_ген= 0,1×I_s, а для кремния n_i = 6,8×10¹⁰ см^-3 (DW = 1,12 эВ) и I_ген = 3000×I_S,.

Дата добавления: 2015-08-13