Термостабилизация

Изменение температуры окружающей среды приводит к изменению параметров транзистора, и, соответственно, к изменению токов и напряжений в схеме. Приращение тока коллектора определяется выражением

DI_К = DI_К0 + DВ (I_б + I_К0) + В DI_б, (1)

где DI_К0 – приращение обратного тока коллекторного перехода,

DВ – приращение статического коэффициента усиления транзистора по току,

DI_б – приращение тока базы.

При включении в эмиттерную цепь резистора R_Э

, (2)

где R_б – сопротивление параллельно соединенных резисторов R1 и R2 рис. 1.

Подставляя (2) в (1) получим

, (3)

Из этого выражения следует, что

, (4)

Выражение перед прямоугольными скобками называют коэффициентом температурной нестабильности и записывают в форме

, (5)

где .

При отсутствии сопротивления в цепи эмиттера (термостабилизация отсутствует) S = B. Термостабилизация считается удовлетворительной при S = 5, хорошей – при S = 3.

В приложении 1 приведены данные зависимости параметров транзисторов от температуры.

Дата добавления: 2015-07-15