Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Инжекционные светодиоды

Светодиод представляет р-n- переход, свечение которого вызывается рекомбинацией в нем носителей заряда при смещении перехода в прямом направлении. Длина волны определяет­ся следующим фундаментальным выражением:

λ = 1,23 / (E2 – E1); λ – в микрометрах; Е1,2 – в электрон-вольтах. (6.3)

Из соотношения (6.3) вытекает в частности, что для генерации ви­димого света (λ ≤ 0,72 мкм) нужны полупроводники с разностью энергий Е2 – E1 = Е3 ≥ 1,7 эВ.

В качестве материалов для изготовления светодиодов используются полупроводниковые соединения АIIIВV, AII BVI, АIV ВIV. Например, кар­бид кремния SiC, фосфид галлия GaP, арсенид галлия GaAs.Устройство светодиода показано на рис. 6.15.

 

Рис. 6.15

 

Cветодиоды используются в качестве индикаторов в аппаратуре различного назначения. Цвет свечения – чаще всего красный, зеленый, желтый. В системе обозначений – второй элемент буква Л, например: АЛ102Б; АЛ307Б, В.

 

 


 

Оптроны

 

Полупроводниковый оптрон – это прибор, состоящий из оптически связанных между собой элементов оптронной пары (управляемого полупроводникового излучателя света и полупроводникового приемника излучения) и предназначенный для выполнения различных функциональных преобразований электрических и оптических сигналов.

В качестве источника излучения может быть использован светодиод, электролюминесцентный порошковый или пленочный излучатель, полупроводниковый лазер.

Разновидности элементарных оптронов следующие: резисторный (рис. 6.16), диодный (рис. 6.17), транзисторный (рис. 6.18), на составном транзисторе (рис. 6.19), тиристорный (рис. 6.20).

Рис. 6.16

 

Рис. 6.17 Рис. 6.18

 

Рис. 6.19 Рис. 6.20

 

Система параметров оптронов включает четыре группы: входные и выходные характеристики, передаточные и параметры гальванической развязки. Степень воздействия излучателя на фотоприемник (или передаточная характеристика) определяется:

1). коэффициентом передачи тока Кi = I вых / I вх для диодных и транзисторных оптронов;

2). минимальным входным током, обеспечивающим спрямление характеристики тиристорных оптронов;

3). отношением темнового сопротивления к световому R Т /R СВ или величиной R СВ – для резисторных оптронов;

4). параметры, характеризующие инерционность оптрона в импульсном режиме: время включения и время выключения, граничная частота f гр;

5). качество гальванической развязки: U С и R С, и емкость C С (емкость связи).

Резисторные оптроны характеризуются линейностью и симметричностью выходной вольтамперной характеристики, отсутствием внутренних ЭДС, высокой кратностью отношения R Т /R СВ, достаточной инерционностью .

Почти все диодные оптроны изготавливаются с использованием p-i-n -фотоприемников, отличаются большим быстродействием , но Кi меньше или равен единице.

Транзисторные оптроны характеризуются наибольшей схемотехнической гибкостью, имеют высокое значение коэффициента передачи тока (особенно на составном транзисторе), не очень высокое быстродействие , КI = 600…8000.

Тиристорные оптроны удобны в «силовой» оптоэлектронике: они с одинаковым успехом пригодны для коммутации сильноточных цепей радиоэлектронного (U КОМ ≈ 50…600 В), I КОМ= 0,1…10 А) и электротехнического (U КОМ = 100…1300 В, I КОМ= 10…320 А) назначения.

 


 


Дата добавления: 2015-12-08; просмотров: 85 | Нарушение авторских прав



mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)