Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

УВАГА! При виконанні роботи дотримуйтесь полярності підключення фотоелемента!

Читайте также:
  1. I. ЗАГАЛЬНІ ВКАЗІВКИ ЩОДО ОРГАНІЗАЦІЇ САМОСТІЙНОЇ РОБОТИ
  2. Алгоритм роботи лікаря бригади швидкої медичної допомоги, що прибуває першою на місце катастрофи
  3. б) вид соціальної діяльності, спрямований на залучення різних соціальних інститутів до роботи з клієнтами.
  4. Безопасность функционирования автоматизированных и роботизированных производств.
  5. БУДОВА І ПРИНЦИП РОБОТИ ЛІЧИЛЬНИКА МОЛОКА УЗМ-1.
  6. В. Розгляд основних правил роботи з мультимедійними програмами (8 хвилин).
  7. Вибір теми варіанту курсової роботи

Теоретичні відомості

Внутрішній фотоефект це викликані електромагнітним випромінюванням переходи електронів всередині напівпровідника або діелектрика із зв’язаних станів у вільні без емісії назовні. Додаткова провідність напівпровідника або діелектрика зумовлена опроміненням, називається фотопровідністю.

Фоторезистор – це чистий напівпровідник, опір якого залежить від освітленості. Для виготовлення цих пристроїв використовують такі хімічні сполуки як PbS (сульфід свинцю), CdS (сульфід кадмію), PbSe (селенід свинцю) та інші.

 
 


Рис.1
Фоторезистори ФСК -1,ФР-765 таФР-10788 які використовуються у цій лабораторній роботі, складаються з світлочутливого шару напівпровідника 1мкм завтовшки, нанесеного на скляну пластинку. До бокових поверхонь напівпровідника приєднані струмовідводи (рис 1). Темновий (за відсутності освітленості) опір таких фоторезисторів більший, ніж 107 Ом, а питома чутливість - 3000 . Умовна позначка фоторезистора зображена на рис.3.

           
 
 
   
     
 

 

 


Рис.2
Рис.3 Рис.4

Вентильний фотоефект є різновидом внутрішнього фотоефекта і полягає у виникненні фото-е.р.с. при освітленні контакту двох різних напівпровідників або напівпровідника і металу. Фотоелемент – це напівпровідниковий пристрій з електронно-дірковим переходом, що перетворює енергію випромінювання в електричну енергію. Умовна позначка фотоелемента зображена на рис.4.

До вентильних фотоелементів відносять фотоелементи з германію, кремнію (силіцію), селену, купроксні, сірково-срібні та інші. Фотоелементи широко використовуються для створення сонячних батарей.

В даній лабораторній роботі досліджується селеновий фотоелемент із чутливістю 200 мкА/лм, встановлений на панелі з двома виходами. На цій панелі вказана полярність фотоелемента (рис.2).

УВАГА! При виконанні роботи дотримуйтесь полярності підключення фотоелемента!

Освітленість Е поверхні фоторезистора або фотоелемента, як відомо з фотометрії, обернено пропорційна квадрату відстані r від джерела світла до цієї поверхні. У даній лабораторній роботі освітленість Е при r =25 cм приймаємо умовно за 1, потім збільшуємо r послідовно у 2,3,4 рази. Тоді Е1=1; Е2= 1/ (2)2= 1/4; Е3= 1/ (3)2= 1/9; і. т.д.

 


Дата добавления: 2015-11-26; просмотров: 114 | Нарушение авторских прав



mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)