Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Математическая модель

Читайте также:
  1. ATTENTION!! тут не описано как проверять партиклы! только модель с текстурами
  2. F) Бинарная модель
  3. III. ДИСТРИБУТИВНАЯ МОДЕЛЬ
  4. Wave 3 – новый флагман платформы bada на свежей версии 2.0. Модель в цельнометаллическом корпусе из анодированного алюминия и с большим (4”) экраном Super AMOLED.
  5. XXII. Модель «К» и отчаянный риск
  6. Анализ привлекательности отрасли. Модель 5 конкурентных сил Портера.
  7. Арбитражная модель оценки активов С. Росса, ее преимущества и недостатки

Моделирование резонансного туннелирования

В полупроводниковых наноструктурах

Описание лабораторной работы

 

Составитель: канд. физ.-мат. наук, доцент Агарев В.Н. ( физический факультет ННГУ)

 

Целью настоящей работы является освоение компьютерного моделирования явления туннелирования в полупроводниковых наноструктурах.

 

Введение

Эффект резонансного туннелирования в тонкопленочных гетероструктурах является основой создания резонансно-туннельных диодов [1]. Интерес к двухбарьерным квантовым структурам обусловлен видом их N -образной вольт-амперной характеристики с участком отрицательного дифференциального сопротивления и малой инерционностью процесса туннелирования (порядка 10-13 сек). Эти свойства резонансно-туннельных диодов делают их перспективными для создания высокоскоростных приборов терагерцового диапазона и цифровых устройств с временем переключения порядка 10-12 сек и менее.

 

Физическая модель

 

Пусть двухбарьерная структура расположена на расстояниях от 0 до L, тогда волновая функция описывается уравнением Шредингера:

(1)

Здесь m – эффективная масса электрона, которая для простоты считается одинаковой во всей рассматриваемой области. Решением уравнения во внешних областях будут функции вида:

(2)

,где r и t – амплитуды отражения и прохождения. Коэффициенты отражения и прохождения есть:

, (3)

Граничные условия получим из функций (2):

(4)

Выражая r и t через и , граничные условия можно записать:

(5)

Вместе с уравнением (1) условия (5) определяют задачу во внутренней области от 0 до L. Решая эту задачу и найдя , мы можем найти коэффициенты отражения и прохождения как:

, (6)

 

Математическая модель

 

Примем полную длину структуры L за единицу, тогда уравнение Шредингера примет вид:

(7)

где энергия и потенциал отсчитываются в единицах .

Разобьем участок от 0 до L на N областей L = N a. Тогда, если L =1, то а=1/N.

Для произвольной точки внутри области уравнение (7) можно записать в дискретном виде:

(8)

(9)

Для первого граничного условия (5) сделаем замену производной волновой функции на ее дискретный аналог . Тогда граничное условие и уравнение Шредингера при x=n=0 имеют вид:

(10)

Складывая (10) и разделив на 2, получим первое граничное условие:

(11)

Для второго граничного условия аналогично найдем:

(12)

Откуда получим второе граничное условие в виде:

(13)

Таким образом, задача состоит в решении системы уравнений (8), (11), (13).

 


Дата добавления: 2015-10-31; просмотров: 66 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
VII. Match the Problem of Tunnel Construction to its Solution.| Television Addiction

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)