Практические навыки, приобретаемые студентом

Умение выполнять простейшие операции при работе на сканирующем электронном микроскопе Hitachi S-2300:

- Подготовка микроскопа к работе

- Загрузка-выгрузка образцов через шлюзовую камеру с предварительной откачкой форвакуумным насосом

- Изменение увеличения и режимов просмотра и съёмки изображения

- Завершение работы на микроскопе

Умение выполнять фрактографический анализ при работе на сканирующем электронном микроскопе

Навыки работы с программным комплексом для получения цифрового изображения с электронного микроскопа Hitachi S-2300 и управления работой рентгеноспектрального микроанализатора Oxford Instruments Link ISIS-300.

Умение выполнять микрорентгеноспектральный анализ на рентгеноспектральном микроанализаторе Oxford Instruments Link ISIS-300.

Получение рентгеновского спектра в нужной точке образца и со всей площади снимка.

Ручной и автоматический выбор анализируемых элементов.

Умение определять размеры структурных составляющих композиционных сверхпроводников по электронным снимкам

Методические указания по выполнению работы

В данной лабораторной работе применяется оборудование в процессе эксплуатации которого используется высокое напряжение до 25 кВ, а также жидкий азот с температурой 77К, что обуславливает опасность поражения электрическим током, получения термического ожога или повреждения оборудования. Поэтому, при проведении лабораторной работы на сканирующем электронном микроскопе Hitachi S-2300 и микроанализаторе Oxford Instruments Link ISIS-300, запрещается выходить за пределы рабочей зоны и производить действия, не санкционированные преподавателем.

Форма рабочего журнала (отчета)

Работа оформляется на специальных бланках (Приложение 2), где необходимо сделать следующие записи:

- записать персональные данные студента (Ф.И.О. полностью, учебное заведение, группа, дата проведения работы),

- описать исследуемые образцы,

- записать величину диаметра волокна и межволоконного расстояния на различных типах сверхпроводников (усредненное значение),

- записать толщину диффузионного барьера на различных типах сверхпроводников (усредненное значение),

- записать размеры зон столбчатых и равноосных зёрен в слоях интерметаллида Nb₃Sn,

- записать результаты количественного МРС-анализа химического состава волокон и матрицы в сверхпроводниках различных типов,

- сделать выводы по исследованным образцам.

Контрольные вопросы

Дата добавления: 2015-07-08